導(dǎo)讀：X-NAND的特點(diǎn)，是在單個(gè)封裝中結(jié)合SLC NAND的性能優(yōu)勢(shì)以及多bit的存儲(chǔ)密度。

　　回顧過去十年的SSD發(fā)展史，可見固態(tài)硬盤的速度和性價(jià)比都變得越來越高。大約十年前，32GB/64GB SSD的價(jià)格可能高達(dá)500/1100美元�，F(xiàn)如今，不到150美元就能買到1TB型號(hào)。然而隨著一項(xiàng)被稱作X-NAND的新技術(shù)的問世，這一趨勢(shì)還將得到進(jìn)一步的延續(xù)。

　　為了在每個(gè)存儲(chǔ)單元塞入更多的數(shù)據(jù)位，閃存已從1-bit的SLC，逐漸發(fā)展到了2、3、4-bit的 MLC/TLC/QLC。

　　此外還有5-bit的PLC NAND正在開發(fā)中，只是我們無法早于2025年見到它的身影。

　　對(duì)于大多數(shù)網(wǎng)友來說，可能都知道SLC NAND閃存的速度和耐用性最佳，但成本也居高不下。

　　另一方面，盡管TLC和QLC NAND的速度相對(duì)較慢，但在DRAM和SLC緩存策略的加持下，其依然很適合用于制造更具成本效益的大容量SSD。

　　有趣的是，由Andy Hsu在2012年成立的閃存設(shè)計(jì)與半導(dǎo)體初創(chuàng)企業(yè)Neo Semiconductor，宣稱能夠借助全新的的X-NAND閃存技術(shù)來獲得更高的性能與成本效益。

　　早在去年的閃存峰會(huì)上，外媒就已經(jīng)報(bào)道過X-NAND。不過直到本月，這家公司才被正式授予了兩項(xiàng)關(guān)鍵專利。

　　X-NAND的特點(diǎn)，是在單個(gè)封裝中結(jié)合SLC NAND的性能優(yōu)勢(shì)以及多bit的存儲(chǔ)密度。

　　與傳統(tǒng)方案相比，X-NAND可將閃存芯片的緩沖區(qū)大小減少多達(dá)94%，使得制造商能夠?qū)⒚總�(gè)芯片的平面數(shù)量，從2-4個(gè)大幅增加到16-64個(gè)。

　　基于此，NAND芯片可實(shí)現(xiàn)更高的讀取和寫入并行性能，進(jìn)而甚至可提升SLC NAND的性能。

　　理論上，X-NAND可將順序讀取速率提升至QLC的27倍、將順序?qū)懭胨俾侍嵘?5倍、以及將隨機(jī)讀寫性能提升3倍。

　　同時(shí)得益于NAND芯片的更小、更低功耗，其制造成本也可控制到QLC相當(dāng)。至于耐用性會(huì)有多大的改善，說起來就有些復(fù)雜了。即便如此，該公司還是聲稱會(huì)較傳統(tǒng)TLC/QLC閃存有所改善。

　　目前Neo Semiconductor正在尋求與三星、英特爾、美光、鎧俠、西部數(shù)據(jù)、SK海力士等 NAND制造商建立合作伙伴關(guān)系。截止發(fā)稿時(shí)，該公司已擁有22項(xiàng)相關(guān)專利。