在高性能的應(yīng)用，比如智能汽車、小型的醫(yī)療設(shè)備這個(gè)領(lǐng)域，它屬于需要高性能、高耐久性的電子系統(tǒng)，它的存儲技術(shù)未來會是什么樣的選擇方向和創(chuàng)新的趨勢呢？

在第七屆EEVIA年度中國ICT媒體論壇暨2018產(chǎn)業(yè)和技術(shù)展望研討會上，富士通電子元器件產(chǎn)品管理部總監(jiān)馮逸新分享了公司的策略，以下是他的演講整理。

先分享下各種存儲器的特點(diǎn)：

富士通主要提供FRAM、FRAM、ReRAM三種。

FRAM有三大優(yōu)勢：

一是高讀寫入耐久性，寫的次數(shù)比較多。

二是高速寫入，因?yàn)閷懭肟梢愿{米秒的速度相比。

三是低功耗。其實(shí)一般在NORFlash寫和擦的時(shí)候需要一個(gè)升降電路，那么FRAM不需要，所以是低功耗。

所謂的耐久性是什么樣的概念呢？

假設(shè)條件寫入頻率是1秒/次，其實(shí)在FRAM最多用的是三項(xiàng)電表，國家規(guī)定是一秒寫一次重要數(shù)據(jù)，一秒寫一次，一般產(chǎn)品的壽命是十年的話，在十年當(dāng)中寫入耐久性大概需要3.2億次！我們做比較，EEPROM滿足不了，flash滿足不了，但是EEPROM和flash還在被用，因?yàn)檫@需要用EEPROMFlash系統(tǒng)的話需要軟件工程師下一些工夫。比如做損耗品種技術(shù)，也可以做，但是從整體上，成本會增加，總體來講并不見得是可取之處。

高速寫入，FRAM寫入一個(gè)數(shù)據(jù)的時(shí)間僅僅是EEPROM的1/3000，如果一個(gè)系統(tǒng)用一個(gè)主控加一個(gè)硬memory的話，發(fā)生掉電的時(shí)候，肯定FRAM是沒有問題的，因?yàn)樗乃俣群芸欤珽EPROM肯定要數(shù)據(jù)丟失。

那為什么EEPROM還在用呢？主要是加了大電容，或者是加了電池，因?yàn)橄码姷臅r(shí)候，寫入數(shù)據(jù)需要時(shí)間，需要維持電壓，加一個(gè)大電容等于電池，這樣不但增加了設(shè)計(jì)線路板的面積，也有成本的增加，沒有FRAM那么簡單。

功耗的問題，同樣寫入64byte的數(shù)據(jù)，F(xiàn)RAM的功耗僅僅是EEPROM的1/100，這樣功耗越低，電池的使用壽命就越長，在汽車的胎壓檢測里面一般用電池，電池更換方便，需要電池壽命更長，用FRAM可能是比較理想的的了。

先總結(jié)一下就是，無論是讀寫耐久性也好、寫的速度、寫得速度和功耗來講，F(xiàn)RAM比傳統(tǒng)的MRAM、EEPROM有很多優(yōu)勢——但是，F(xiàn)RAM很貴！

補(bǔ)充一張富士通FRAM產(chǎn)品線的說明圖。工程師一眼就看懂，就不再贅述。

富士通的ReRAM

ReRAM是富士通和松下合作的產(chǎn)品。松下負(fù)責(zé)制造，一部分REROM松下做，F(xiàn)RAM富士通做，它是通過一些化學(xué)氧化反應(yīng)，使里邊電阻最高、最低值兩個(gè)來定點(diǎn)計(jì)數(shù)據(jù)。

第一代產(chǎn)品已經(jīng)出來了，主要用在助聽器，歐洲很多大公司助聽器放在耳朵里面。

ReRAM的主要特點(diǎn)是阻變式的，F(xiàn)RAM不一樣，規(guī)格類似于EEPROM，內(nèi)存容量比較大一些，核心尺寸比EEPROM小一點(diǎn)。應(yīng)用優(yōu)勢最大一點(diǎn)是低功耗易于寫入操作，歐洲的一些大的助聽器對這塊要求比較多一些。

ReRAM的產(chǎn)品路線圖。

上圖是ReRAM的產(chǎn)品特點(diǎn)總結(jié)。

目前4Mbit的中密度產(chǎn)品線已經(jīng)量產(chǎn)，更高的密度還要晚一兩年。馮逸新表示，未來富士通要把它做的更小，小到現(xiàn)在的1/4。目標(biāo)應(yīng)用是可穿戴設(shè)備，例如助聽器做。

富士通的NRAM

NRAM是一個(gè)新的東西，這是馮逸新第一次跟媒體談到這個(gè)產(chǎn)品。N是納米管的一個(gè)東西，發(fā)明這個(gè)技術(shù)的是美國的叫Nantero，公司在波士頓，在加利福尼亞有一個(gè)研發(fā)中心。富士通把IP買過來之后開發(fā)新的產(chǎn)品，它也是通過納米管范德華力接觸，接觸之后電流凝固這個(gè)時(shí)候電阻是最低的，反作用力讓它分開，電阻是最大的這么一個(gè)東西，就這么一個(gè)工作原理。

NRAM有什么技術(shù)特點(diǎn)呢？

一是讀寫的速度比較快，讀寫耐久性比NORFlash高于1000倍。

其次是高可靠性，一般80度可以存儲數(shù)據(jù)達(dá)到1000年，一般300度時(shí)可達(dá)10年。存儲溫度比較高。

第三是低功耗，待機(jī)模式的功耗接近于零。

還有無限的擴(kuò)張性，因?yàn)檫@個(gè)可以做的更小，F(xiàn)RAM突破不了100個(gè)納米，一般NORFlash做到十幾個(gè)納米，EEPROM做到60多個(gè)納米，NRAM做的更小一些，未來的擴(kuò)展空間比較大。

簡單做一個(gè)總結(jié)。總體來說，MRAM在高溫操作、數(shù)據(jù)保持、高速書寫上面比傳統(tǒng)的memory更好一些。它的寫入次數(shù)比NORFlash更好一些?？梢赃M(jìn)入NORFlash未來。談到NRAM的產(chǎn)品路線圖，這是一款未來的產(chǎn)品。預(yù)計(jì)在2020年富士通可以做出來，因?yàn)楝F(xiàn)在很多客戶看到這樣非常感興趣。他解釋說，NRAM帶來什么樣的價(jià)值？它可以應(yīng)用在任何系統(tǒng)，不但可以做數(shù)據(jù)存儲，也可以做程序存儲。這個(gè)是很方便。可以實(shí)現(xiàn)即開即用。比如不關(guān)電腦，用的時(shí)候打開。還有高溫環(huán)境，F(xiàn)RAM做到120多度，未來NRAM它可以做到150多度。這樣可以應(yīng)用在發(fā)動機(jī)周邊的電子產(chǎn)品上。