


富士通半導(dǎo)體推出基于0.18 µm 技術(shù)的全新 SPI FRAM
企業(yè)信息
普通會員第20年
公司類型: 生產(chǎn)商
主運(yùn)營:專用集成電路、微控制器、模擬產(chǎn)品、晶圓代工服務(wù)...
所在地區(qū):上海市
注冊時(shí)間:2006-09-01
上海,2011年7月19日 — 富士通半導(dǎo)體(上海)有限公司今日宣布推出基于0.18 µm 技術(shù)的全新 SPI FRAM產(chǎn)品家族,包括MB85RS256A,MB85RS128A和MB85RS64A這3個(gè)型號,并從即日起開始為客戶提供樣片。
FRAM (Ferroelectric Random Access Memory 鐵電隨機(jī)存儲器) 將SRAM 的快寫與閃存的非易失性的優(yōu)勢集中在一塊芯片上。全新的SPI FRAM家族MB85RSxxx包括3個(gè)型號:MB85RS256A,MB85RS128A和MB85RS64A,分別代表256Kbit,128Kbit和64Kbit三個(gè)密度級。3個(gè)芯片的工作電壓范圍在3.0 ~ 3.6V,讀寫周期為10billion次,數(shù)據(jù)保存在55°C的條件下可達(dá)10年。其工作頻率已經(jīng)大幅提高到最大25MHz。因?yàn)镕RAM產(chǎn)品在寫處理時(shí)無需電壓增壓器,很適合低功率應(yīng)用。該產(chǎn)品提供具有標(biāo)準(zhǔn)存儲器引腳配置的8引腳封裝,完全兼容E2PROM芯片。
SPI FRAM產(chǎn)品陣容
產(chǎn)品型號 | 存儲器容量 | 電源電壓 | 工作溫度 | 寫/擦次數(shù) | 數(shù)據(jù)保持 | 封裝 |
---|---|---|---|---|---|---|
MB85RS256A | 256K bit | 3.0—3.6v | -40—85 | 100億次 | 10年 | SOP-8 |
MB85RS128A | 128K bit | 3.0—3.6v | -40—85 | 100億次 | 10年 | SOP-8 |
MB85RS64A | 64K bit | 3.0—3.6v | -40—85 | 100億次 | 10年 | SOP-8 |
憑借公司內(nèi)部的開發(fā)和制造,富士通半導(dǎo)體可更加優(yōu)化設(shè)計(jì)和工廠間的密切合作。這為向市場穩(wěn)定地提供實(shí)質(zhì)性的高質(zhì)量產(chǎn)品打下了基礎(chǔ)。
除 SPI FRAM家族之外,富士通還提供帶I²C和并行口的FRAM獨(dú)立芯片。密度級從16Kbit到4Mbit不等。此外,富士通還計(jì)劃進(jìn)一步擴(kuò)展FRAM組合以滿足市場需求。
FRAM獨(dú)立存儲芯片可廣泛用于計(jì)量、工廠自動化應(yīng)用以及各產(chǎn)業(yè)部門等需要數(shù)據(jù)采集、高速寫入和耐久性的行業(yè)。對客戶來說,F(xiàn)RAM不但可取代所有使用電池支持的解決方案,還是一款非常環(huán)保的產(chǎn)品。

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