產(chǎn)品頻道

      可檢測涂氮晶片
      · 激光定位傳感器具有危險，由于當從內(nèi)部負載孔定位時，激光光軸未達到FOUP直接射向操作員。使用LED光源的M-DW1比原先的激光光軸定位傳感器更安全。
      · 涂氮晶片根據(jù)涂層厚度以一定波長吸收光線。如果傳感器使用具有單個波長的傳感器，光軸可能被完全吸收，導致晶片檢測錯誤。M-DW1使用的LED光源的波長帶比較寬，所以可始終成功地檢測涂氮晶片。
      · 根據(jù)反射光線的數(shù)量進行的晶片檢測可能有時會由于晶片邊緣的形狀而發(fā)生錯誤。M-DW1在受光部分使用2個分隔的受光二極體，通過反射光線的位置而不是數(shù)量檢測晶片。因此，傳感器受晶片厚度或反射光線數(shù)量的影響較小。

      晶片定位檢測
      ·中心測量距離：45mm
      ·電源電壓：12～24V DC±10%
      ·檢測物體：3英寸以上半導體晶片
      ·輸出： NPN開路集電極晶體管(最大100mA)或PNP開路集電極晶體管(最大100mA)通過切換開關選擇