產(chǎn)品頻道

編者按：意法半導體（ST）推出全新快速恢復MOSFET產(chǎn)品，大幅降低導通電阻，提供全面的節(jié)能解決方案 中國，2008年5月6日 — 世界領先的功率半導體產(chǎn)品供應商意法半導體（紐約證券交易所代碼：STM）推出快速恢復MOSFET晶體管新產(chǎn)品系列，為滿足包括再生能源控制器在內(nèi)的以能效為中心的應用需求，新產(chǎn)品在現(xiàn)有產(chǎn)品的基礎上提高了開關性能，同時還使導通電阻實現(xiàn)超過18%的降幅。 STW55NM60ND是新的超結FDmesh™ II系列產(chǎn)品的首款產(chǎn)品，這是一款600V N溝道MOSFET晶體管，0.060歐姆的導通電阻在快速恢復MOSFET晶體管市場上創(chuàng)下最低記錄，采用工業(yè)標準的TO-247封裝。由于最大漏極電流達到51A，在對空間有嚴格要求的電信設備和服務器系統(tǒng)轉換器中，可以用一個MOSFET晶體管替代多個標準器件。再加上降低的損耗實現(xiàn)更高的熱管理效率，新產(chǎn)品讓設計工程師大幅度提高功率密度。 為把這些改進的性能變?yōu)楝F(xiàn)實，ST對FDmesh超結架構進行了技術改進，在傳統(tǒng)的帶狀MOSFET結構中融合垂直結構，同時還內(nèi)置一個速度更快、可靠性更強的本征體二極管。除降低導通電阻和恢復時間外，通過降低柵電容、柵電荷和柵輸入電阻，這些技術改良更能提高開關效率，降低驅動損耗。在開關期間提高的可靠性，特別是在橋式拓撲中，包括在低負載下的零壓開關（ZVS）結構，使新產(chǎn)品具有很高的dv/dt值。 采用這項技術的未來產(chǎn)品還將提供更多的封裝選擇和電流性能，每款封裝都讓快速恢復MOSFET晶體管具有業(yè)內(nèi)最低的導通電阻。其中，STP30NM60ND采用TO-220封裝，額定漏極電流25A，導通電阻0.13歐姆；STD11NM60ND采用DPAK貼裝封裝，漏極電流10A，導通電阻0.45歐姆；ST的FDmesh II系列產(chǎn)品將不斷推出新產(chǎn)品，以擴大電壓和電流性能的選擇范圍，后續(xù)產(chǎn)品將采用業(yè)內(nèi)標準的功率封裝。 STW55NM60ND現(xiàn)在已開始量產(chǎn)。 詳情訪問 www.stmicroelectronics.com.cn/pmos 關于意法半導體（ST）公司 意法半導體，是微電子應用領域中開發(fā)供應半導體解決方案的世界級主導廠商。硅片與系統(tǒng)技術的完美結合，雄厚的制造實力，廣泛的知識產(chǎn)權組合（IP），以及強大的戰(zhàn)略合作伙伴關系，使意法半導體在系統(tǒng)級芯片（SoC）技術方面居最前沿地位。在今天實現(xiàn)技術一體化的發(fā)展趨勢中，ST的產(chǎn)品扮演了一個重要的角色。公司股票分別在紐約股票交易所、巴黎Euronext股票交易所和米蘭股票交易所上市。2007年，公司凈收入100億美元，詳情請訪問ST網(wǎng)站：www.st.com 或ST中文網(wǎng)站www.stmicroelectronics.com.cn。