產品頻道

　　全球領先的功率MOSFET器件供應商意法半導體(紐約證券交易所代碼：STM)推出一款全新功率MOSFET產品，為設計工程師帶來更多選擇。新產品 STW77N65M5采用意法半導體的超高能效MDmesh™ V制造工藝和工業(yè)標準TO-247 封裝，是業(yè)內通態(tài)電阻最低的650V MOSFET產品。

　　意法半導體功率MOSFET產品部市場總監(jiān)Maurizio Giudice表示：“MDmesh V 系列產品整合了意法半導體專屬的第五代超結技術，和經過應用驗證的 PowerMESH™ 水平布局設計，產品性能優(yōu)于同類競爭產品。無論采用何種封裝，業(yè)界最低的單位芯片面積RDS(ON)都能提供能效優(yōu)勢。設計人員使用很少數(shù)量的MDmesh V器件即可替代多路并聯(lián)的普通MOSFET網絡，提高設計性能，降低總體尺寸?！?/p>

　　這款新器件是STW77N65M5，通態(tài)電阻RDS(ON)為38mΩ，采用TO-247封裝。意法半導體計劃在2010年推出采用Max247封裝的22mΩRDS(ON)的STY112N65M5。在今年初的MDmesh V超結MOSFET技術發(fā)布會上，意法半導體公布開發(fā)藍圖時曾介紹過這兩款產品。STW77N65M5的最大輸出電流額定69A，現(xiàn)已全面投入量產。

　　與常規(guī)MOSFET產品和競爭的超結器件相比，意法半導體的MDmesh V技術的單位芯片面積通態(tài)電阻最低。更低的損耗給設計帶來很多好處，包括提高能效、更高的功率密度和更低的工作溫度，最終可提高目標應用的可靠性，如個人電腦和服務器的電源、太陽能轉換器、電焊電源和不間斷電源設備，導通損耗是影響這些應用能效的要素之一。

　　在強調超低通態(tài)損耗的同時，這些器件還實現(xiàn)了低開關損耗，使各種應用能夠在不同的工作條件下提高總體能效。MDmesh V功率MOSFET采用主流的工業(yè)標準的封裝，包括 TO-220、TO-220FP、I2PAK、D2PAK、DPAK和IPAK。

　　TO-247封裝的STW77N65M5現(xiàn)接受生產訂單。

　　詳情請訪問：www.st.com/mdmeshv

關于意法半導體

　　意法半導體是全球領先的半導體解決方案提供商，為各種應用領域的電子設備制造商提供創(chuàng)新的解決方案。憑借公司掌握的大量技術、設計能力和知識產權組合、戰(zhàn)略合作伙伴關系和制造實力，意法半導體矢志成為多媒體融合和功率應用領域無可爭議的行業(yè)領袖。2008年，公司凈收入98.4億美元。詳情請訪問意法半導體公司網站 www.st.com 或意法半導體中文網站 www.stmicroelectronics.com.cn