產(chǎn)品頻道

瑞薩宣布，RQG2003高性能的功率硅鍺HBT實現(xiàn)了高水平性能，可用于諸如無線LAN終端、數(shù)字無繩電話和RF（射頻）標簽讀/寫機等產(chǎn)品。樣品供貨將于從2007年3月在日本開始。 作為瑞薩科技目前HSG2002的后續(xù)產(chǎn)品，RQG2003是一種用于功率放大器的晶體管，它可以對傳輸無線LAN終端設備等RF前端功率進行放大。 RQG2003的功能總結如下。 （1）業(yè)界最高的性能水平，有助于實現(xiàn)低功耗產(chǎn)品 在5GHz和2.4GHz頻段，RQG2003的性能達到了業(yè)界的最高水平，如下所述： （a）5GHz頻段：6.4dB的功率增益，26.5dBm條件下的1dB增益壓縮功率，5.8GHz條件下的功率增加效率為33.6% （b）2.4GHz頻段：13.0dB的功率增益，26.5dBm條件下1dB的增益壓縮功率，2.4GHz條件下的功率增加效率為66.0%。這些性能參數(shù)是對瑞薩科技目前的HSG2002的顯著改善，例如，5.8GHz條件下的功率增加效率大約提高了10%，2.4GHz的功率增加效率大約提高了20%。 該性能有助于降低IEEE802.11a 兼容的無線LAN設備、數(shù)字無繩電話等5GHz頻段設備的功耗，也可以降低使用2.4GHz頻段的IEEE802.11b/g 兼容的無線LAN設備、RF標簽讀/寫機及其他2.4GHz頻段應用的功耗。 （2）小而薄的無鉛封裝 該器件采用小型表面貼裝8引腳WQFN0202（瑞薩封裝代碼）封裝，尺寸為2.0mm×2.0mm×0.8毫米。這種小而薄的無鉛封裝有助于縮小RF前端傳輸部分的設計空間。 <產(chǎn)品細節(jié)> （1）關于RQG2003 RQG2003是瑞薩科技第一個采用該公司獨特的雙溝道結構的產(chǎn)品，其中的溝道隔離和導電溝道是在一個單晶體管區(qū)形成的。使晶體管與帶有溝道絕緣層的硅襯底隔離，以減少造成高頻特性降低的寄生電容（襯底和晶體管之間）。此外，形成的導電溝道可以利用通孔與電極和襯底進行連接，從而減少了由連線壓焊引起的電感。 利用這種雙溝道結構可以實現(xiàn)2.4GHz和5GHz頻段功率增益和功率增加效率的顯著改善。 該器件采用了一種SiGeC工藝，其中的硅鍺基極摻雜了碳，同時實現(xiàn)了晶體管圖形的優(yōu)化。與瑞薩科技目前的HSG2002相比，集電極電流密度有所增加，1dB增益壓縮功率大約改善了1.5dBm。 （2）完全無鉛封裝 為了保證芯片壓焊的可靠性和電導性，RQG2003采用了一種最理想的導電銀漿，同時采用了Sn-Bi（錫鉍）來進行電極電鍍，完全實現(xiàn)了無鉛化。 瑞薩科技計劃進一步擴展RQG系列硅鍺功率晶體管的LNA（低噪聲放大器）RQG1xxx和PA（功率放大器）RQG2xxx陣容，并繼續(xù)開發(fā)RQL系列硅鍺MMIC的LNA RQL1xxx和PA RQL2xxx產(chǎn)品，以滿足不斷發(fā)展的市場對豐富產(chǎn)品的需求。 <典型應用> ·無線LAN終端：2.4GHz/5GHz頻段（符合IEEE802.11a/b/g標準） ·RF標簽讀/寫機：2.4GHz ·數(shù)字無繩電話：2.4GHz/5.8GHz。