最緊湊的900A IGBT半橋模塊 SEMiXTM4
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相對于標準模塊30mm的高度,SEMiXTM4的高度才17mm,其在183mm x69mm的面積上實現(xiàn)最大直流電流900A的能力,使其當之無愧的成為目前功率器件市場上最緊湊的半橋模塊。
SEMiXTM4 IGBT模塊,是SEMiXTM3的“大哥”,能夠應用在功率超過90kW的電機電源中。它有半橋與制動單元兩種拓撲結(jié)構(gòu)。作為“小弟”的SEMiXTM2 IGBT模塊,是最小的半橋模塊,其長寬高尺寸僅為117mm x 62mm x 17mm,最大直流電流能力可達470A。
僅在一年前,賽米控推出了SEMiXTM3半橋模塊以及兼容的SEMiXTM33c六單元封裝模塊,它們在變頻器和不間斷電源的應用領域中都業(yè)已聲名斐然。
SEMiXTM IGBT系列采用溝道技術,具有600V、1200V 和 1700V三種電壓等級,特別適合于開關頻率小于6 kHz的應用場合。采用軟穿通技術的1200V模塊,其開關頻率可以超過6 kHz。
對不同功率等級的模塊,賽米控設計平臺提供三種模塊尺寸。下表列明了三種SEMiXTM 模塊尺寸對應的電機功率和電流的范圍。更高功率等級的逆變器可以采用幾個半橋并聯(lián)的方式。
SEMiXTM模塊尺寸 Ic[A] 電機功率范圍[kW]
2 190 – 470 30 – 55
3 250 – 700 55 – 110
4 600 – 900 > 90
圖:SEMiXTM 4半橋模塊


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