產品頻道

Infineon（英飛凌）是原西門子半導體集團股票獨立上市公司。功率半導體一直是西門子半導體的核心產品。西門子在全球率先推出NPT-IGBT，具有高可靠、低成本的最優(yōu)性能價格比。Infineon不僅生產IGBT芯片，還生產各種封裝形式的IGBT單管，IGBT模塊歸屬于其100％子公司――EUPEC生產。 一、Infineon高頻600V IGBT優(yōu)質單管（硬開關頻率≤150KHZ） SKW20N60HS Tc = 25℃/100℃ Ic = 36A/20A； 600V TO-247封裝 SKW30N60HS Tc = 25℃/100℃ Ic = 41A/30A； 600V TO-247封裝 特點：☆開關頻率可高達150KHz（硬開關）☆可替代許多MOSFET應用領域 ☆內置Emcon快恢 復二極管 二、Infineon快速型1200V IGBT優(yōu)質單管（硬開關頻率≤50KHZ） SKW15N120 Tc = 25℃/100℃ Ic = 30A/15A； 1200V TO-247封裝 SKW25N120 Tc = 25℃/100℃ Ic = 46A/25A； 1200V TO-247封裝 特點：☆開關頻率可達40KHz（硬開關）☆內置Emcon快恢復二極管 英飛凌（Infineon）“SKW”系列均采用NPT-IGBT技術，NPT-IGBT優(yōu)質單管具有： ◆正溫度系數飽和壓降，易于并聯，具有類MOSFET特性。 ◆參數離散性小，便于批量生產。 ◆拖尾電流小，且隨溫度增加不明顯增加高溫特性優(yōu)異。 ◆開關速度快，高頻特性好。 ◆無鎖定效應，過載能力強，可靠性高。 三、Infineon 600V低飽和壓降型IGBT單管（硬開關頻率≤30KHZ） IKP20N60T Tc = 25℃/100℃ Ic = 40A/20A；VCE（sat）= 1.50V；600V TO-220封裝 IKW50N60T Tc = 25℃/100℃ Ic = 80A/50A；VCE（sat）= 1.50V；600V TO-247封裝 IKW75N60T Tc = 25℃/100℃ Ic = 80A/75A；VCE（sat）= 1.50V；600V TO-247封裝 特點：☆采用溝槽柵+電場終止層（Field stop）IGBT工藝技術 ☆最大工作結溫可達Tjmax≤175℃ ☆內置反并聯軟、快恢復（Emcon）高效二極管☆適合開關頻率fs≤30KHz☆TO-247封裝易于安裝 四、Infineon 1200V低飽和壓降型IGBT單管（硬開關頻率≤20KHZ） IKW15T120 Tc = 25℃/100℃ Ic = 30A/15A；VCE（sat）= 1.70V；1200V TO-247封裝IKW25T120 Tc = 25℃/100℃ Ic = 50A/25A；VCE（sat）= 1.70V；1200V TO-247封裝 IKW40T120 Tc = 25℃/100℃ Ic = 75A/40A；VCE（sat）= 1.80V；1200V TO-247封裝 特點：☆采用溝槽柵+電場終止層IGBT工藝技術 ☆內置反并聯軟、快恢復（Emcon）高效二極管 ☆適合開關頻率fs≤20KHz的應用領域 ☆正溫被系數飽和壓降易于并聯 ☆TO-247封裝易于安裝 五、Infineon Emcon快恢復二極管 IDP45E60 Tc = 25℃/90℃ IF = 71A/47A VF = 1.45V/1.45V；trr< 195ns 600V IDP30E120 Tc = 25℃/90℃ IF = 50A/30A VF = 1.65V/1.70V；trr< 243ns 1200V 特點：☆Infineon專利技術生產（Emcon）快恢復二極管；600V反向恢復時間trr< 195ns；反向恢復軟度因子S<4.4 ☆600V最高工作結溫高達Tjmax≤175℃，高溫特性好 ☆TO-220封裝易于安裝 ☆正向導通壓降極低600V ，VF = 1.45V；1200V ，VF = 1.65V且不隨溫度升高而升高，易于并聯 六、Infineon 電子鎮(zhèn)流器專用IGBT－－Light MOS ILP03N60 Tc = 100℃ Ic = 3A ； 600V TO-220 封裝 ILD03N60 Tc = 100℃ Ic = 3A ； 600V TO-252 SMD封裝 特點：☆單硅片上集成反并聯體二極管，專利技術生產 ☆諧振應用頻率范圍 fK:40KHZ～60KHZ ☆溫度性能好，雪崩耐量高 ☆適用于16W～200W之間的電子鎮(zhèn)流器