產品頻道

簡介：可定制電路于5mm x 5mm方形扁平無引腳封裝，其端子間距為0.65mm，厚度為1mm，可節(jié)約30%～60%的印制電路板空間。

簡介：器件采用薄膜技術，具有低至±0.05％的容限，TCR低至±5ppm/K，外殼尺寸分別為0603、0805和1206

簡介：器件具有0.3ppm/℃的最大TCR、±0.005%（50ppm）的嚴格容差，在至少6年內貨架壽命穩(wěn)定率為2ppm、注油器件的獨特結構將應力因素和潮濕的影響降至最小

簡介：WSBS8518電池分流電阻采用專利技術的處理工藝，可產生100μΩ、125μΩ、和250μΩ這樣極低的阻值。

簡介：新器件集成了兩個電阻，每個電阻的最大散熱功率為125mW；具有低至0.1 %的容差匹配，潮濕敏感度小于0.5%（85℃，85% RH；1000小時）

簡介：這種無感器件的阻值范圍為0.3Ω～900kΩ，絕緣強度最高可達12kVrms；在+85℃下的散熱功率可達300W、600W和800W；占位面積為57mmx 60mm

簡介：QPL RNC90Y和非QLP S555高可靠性箔電阻具有±0.005%的負載壽命穩(wěn)定率、±0.005%的容差和高達25kV的ESD免疫能力

簡介：此款3.3mmx 3.3mm占位面積的器件在10V、4.5V和2.5V下的導通電阻分別為3.9mΩ、5.5mΩ和9.8mΩ

簡介：器件適用于航空、國防、航天應用；具有±2ppm/℃的典型TCR、±0.01%的容差、小于1秒的瞬時熱穩(wěn)定時間，工作2000小時后的負載壽命穩(wěn)定率為±0.005%（50ppm）

簡介：該器件率先結合可耐受25 kV靜電放電、±0.005%（50 ppm）的長時間穩(wěn)定性及±0.2 ppm/C 典型 TCR 等特性；可耐受 100 循環(huán)的熱沖擊且漂移 < 20 ppm 及熱穩(wěn)定時間 < 1 秒

簡介：新型器件將業(yè)內最小尺寸、±0.2 ppm/°C 的 TCR、±0.01% 容差、可耐受高達 25 KV的靜電放電能力及在工作 2000 小時后 ±0.005% 的負載壽命穩(wěn)定性等性能集于一體

簡介：該器件具±0.2 ppm/°C起（-55°C 至 +125°C，+25°C）的 TCR、達0.005%（50 ppm）的負載壽命穩(wěn)定性、小于 0.05% 的報廢容限及小于 1 納秒幾乎瞬時的熱穩(wěn)定時間；

簡介：器件具有不足 1 秒的熱穩(wěn)定性時間，以及 2000 小時后仍具±0.005% 的負載壽命穩(wěn)定性；可“根據需要”提供電阻值且無附加費用及出貨時間

簡介：該器件具有不足 1 秒的快速熱穩(wěn)定時間、±0.005% （50 ppm） 的負載壽命穩(wěn)定性、可 “按照需要”的值（例如 7kΩ 及 7.5678kΩ）來提供，且無額外費用或出貨時間

簡介：該器件提供 ±0.005% （50 ppm） 的負載壽命穩(wěn)定性和小于1秒的熱穩(wěn)定時間；可“按需”提供電阻值，且無需增加成本或延長交貨時間

簡介：容差已降至 0.005%，TCR 降至 ±0.2 ppm/°C，靜電放電 （ESD） 抗擾度則提升至25 kV；可“按需”提供電阻值，且無需增加成本或延長交貨時間

簡介：新型高溫 1-W 表面貼裝 Power Metal Strip® 電阻的耐寒、耐高溫能力和高額定功率使其可用于惡劣環(huán)境中的電流感應和脈沖應用

簡介：Vishay Siliconix 推出的新型TrenchFET® 功率 MOSFET實現業(yè)內最低導通電阻。新型器件采用 SO-8 封裝，具有 3.3 mΩ（在 10 V 時）及 5.5 mΩ（在 4.5 V 時）的優(yōu)異性能

簡介：本產品適用于惡劣的工作環(huán)平境，是模擬負荷實驗、伺服、變頻器等行業(yè)的配套產品。

簡介：英飛凌低通態(tài)電阻SSO8無鉛封裝OptiMOS 3系列MOSFET問世