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更新時(shí)間：2008/3/4 17:09:00
簡(jiǎn)介：愛普科斯（EPCOS）現(xiàn)可供應(yīng)新系列節(jié)省空間的P2馬達(dá)電容器，該產(chǎn)品采用塑料封裝。
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更新時(shí)間：2008/3/4 17:04:00
簡(jiǎn)介：Vishay推出以小型 0603 封裝具有 0.20 W 高額定功率的業(yè)界首款 Power Metal Strip 電阻的新聞信息。
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更新時(shí)間：2008/2/22 13:32:00
簡(jiǎn)介：Maxim推出DS1841溫補(bǔ)電阻，優(yōu)化用于雪崩光電二極管的電壓控制。
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更新時(shí)間：2008/2/20 16:33:00
簡(jiǎn)介：Vishay宣布推出小型超高精度 Z202系列 Z 箔電阻，當(dāng)溫度范圍在 0°C 至 +60°C 時(shí)
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更新時(shí)間：2008/1/26 11:59:00
簡(jiǎn)介：Vishay Intertechnology, Inc.推出采用 5515 尺寸封裝的新型 Power Metal Strip® 儀器|儀表并聯(lián)電阻
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更新時(shí)間：2007/12/8 11:42:00
簡(jiǎn)介：該芯片技術(shù)水平處于國(guó)內(nèi)領(lǐng)先地位，具有很高的商業(yè)價(jià)值。
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更新時(shí)間：2007/6/5 10:31:00
簡(jiǎn)介：一款新光學(xué)控制、具有刻度和IC監(jiān)控器的控制器
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更新時(shí)間：2007/2/28 8:44:00
簡(jiǎn)介：這些器件采用易于安裝的小型TO-263封裝（D2PAK），并且具有廣泛的電阻值范圍。
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更新時(shí)間：2007/2/22 10:06:00
簡(jiǎn)介：飛兆半導(dǎo)體公司（FairchildSemiconductor）宣布推出高頻光隔離MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器系列的全新產(chǎn)品。
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更新時(shí)間：2007/2/22 10:12:00
簡(jiǎn)介：ZetexSemiconductors近日推出三款為有限驅(qū)動(dòng)電壓應(yīng)用設(shè)計(jì)的N溝道增強(qiáng)模式MOSFET。
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更新時(shí)間：2007/1/30 9:08:00
簡(jiǎn)介：Rohm羅姆日前發(fā)布了一款名為“PicoLED”的發(fā)光二極管，尺寸僅為1 x 0.8 x 0.2mm。
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更新時(shí)間：2007/1/29 9:29:00
簡(jiǎn)介：松下電子元器件在導(dǎo)電性高分子鋁電解電容器“SP-Cap”中追加了新系列。
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更新時(shí)間：2007/1/29 8:56:00
簡(jiǎn)介：HOLTEK半導(dǎo)體推出了內(nèi)建OPA元件的A/D型微控制器HT46R32與HT46R322。
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更新時(shí)間：2007/1/24 13:09:00
簡(jiǎn)介：linear推出輸入范圍為 4v 至 60v 的同步 dc/dc 降壓型控制器lt3845。
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更新時(shí)間：2006/12/5 8:59:00
簡(jiǎn)介：美國(guó)模擬器件公司（Analog Devices, Inc.，ADI）最新發(fā)布了AD9516系列時(shí)鐘IC
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更新時(shí)間：2006/11/16 10:11:00
簡(jiǎn)介：成品之本體縮短至5MM,適合供應(yīng)超小型化之電子產(chǎn)品.適用于高密度之電子產(chǎn)品
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更新時(shí)間：2006/8/30 9:23:00
簡(jiǎn)介：AMI半導(dǎo)體（AMIS）推出一種新型高端驅(qū)動(dòng)器IC，從而擴(kuò)大了其ASSP（應(yīng)用專用標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品）系列
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更新時(shí)間：2006/8/23 16:18:00
簡(jiǎn)介：它們的SSB相位噪聲為-115dBc/Hz，并具有半頻率輸出
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更新時(shí)間：2006/8/18 10:09:00
簡(jiǎn)介：愛普科斯（EPCOS）推出一種可大幅降低開關(guān)式電源待機(jī)損耗的鐵氧體新材料——N51。
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更新時(shí)間：2006/8/7 9:11:00
簡(jiǎn)介：據(jù)Mayberry表示，三閘晶體管實(shí)現(xiàn)更好的切斷電流（off-current），因此IC將耗費(fèi)更少的泄漏功率。
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