產(chǎn)品頻道

模擬信號處理及功率管理解決方案供應(yīng)商ZetexSemiconductors近日推出三款為有限驅(qū)動(dòng)電壓應(yīng)用設(shè)計(jì)的N溝道增強(qiáng)模式MOSFET。 這三款新產(chǎn)品分別為20V的ZXMN2B03E6（SOT236封裝）、ZXMN2B14FH和ZXMN2B01F（兩者均為SOT23封裝）。這些器件均具有1.8VGS條件下的低損耗開關(guān)功能，可以使用兩個(gè)1.2V電池或一個(gè)鋰離子電池驅(qū)動(dòng)。其超低柵極驅(qū)動(dòng)意味著可以直接通過邏輯門來驅(qū)動(dòng)。 三款新MOSFET可確保1.8VGS條件下的導(dǎo)通電阻（RDS（ON））分別低于75毫歐（mΩ）、100毫歐（mΩ）和200毫歐（mΩ），使之在低壓應(yīng)用中大顯身手，例如高端分段開關(guān)的電平轉(zhuǎn)換、升壓型轉(zhuǎn)換器電路的外置開關(guān)，以及低壓微控制器和電機(jī)、電磁鐵等負(fù)載的緩沖等。 快速開關(guān)性能是Zetex專有UMOS技術(shù)的另一個(gè)主要功能。例如ZXMN2B01F在VGS=4.5V和ID=1A的情況下，上升和下降時(shí)間僅為3.6ns和10.5ns。