產(chǎn)品頻道

簡介：體積小、耐震、耐濕、耐熱及良好散熱，低價(jià)格等特性

簡介：適用于產(chǎn)業(yè)機(jī)械，負(fù)載測試，電力分配，儀器設(shè)備，自動控制裝置

簡介：使用耐熱，耐濕，無腐蝕的不燃性材料。

簡介：該器件電壓范圍100V～600V，所采用的MicroSMP封裝厚度只有0.65mm

簡介：器件在10V柵極驅(qū)動下的最大導(dǎo)通電阻僅有0.27Ω、柵電荷僅為65nC

簡介：阻值范圍：0.001R-1R.電流1A-200A,精度;0.01%-1%,溫度系數(shù)，± 5PPM，± 10PPM.

簡介：該電阻阻值穩(wěn)定，功率大,廣泛用于低頻交流電路中作電壓、電流調(diào)節(jié)。并可作為電阻元件串聯(lián)組成系列電阻器用于電動機(jī)、起動、制動與調(diào)速用途

簡介：HG醫(yī)用模塊還新增5英寸（127毫米）引線選項(xiàng)，提供了更豐富的安裝方式。

簡介：WSBS8518電池分流電阻采用專利技術(shù)的處理工藝，可產(chǎn)生100μΩ、125μΩ、和250μΩ這樣極低的阻值。

簡介：采用簡單易操作的軟件校準(zhǔn)，用戶可方便地進(jìn)行零點(diǎn)和滿量程校準(zhǔn)

簡介：武漢晶達(dá)電子有限公司聚十多年功率半導(dǎo)體的專業(yè)經(jīng)驗(yàn),為富士功率半導(dǎo)體器件在中國區(qū)域的授權(quán)代理商

簡介：S系列富士電機(jī)第四代IGBT模塊用于變頻器\各種高頻電源

簡介：富士R系列IGBT智能模塊適用于通用變頻器，內(nèi)設(shè)欠壓，過熱，過流保護(hù)功能

簡介：這些SRAM產(chǎn)品不僅符合QDR聯(lián)盟＊2行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)要求，還實(shí)現(xiàn)了72Mb四倍數(shù)據(jù)速率II+（QDRTM II+）和雙數(shù)據(jù)速率II+（DDRII+）的業(yè)內(nèi)最高工作速度，并且包含72Mb QDRII和DDRII SRAM器件

簡介：富士電機(jī)IGBT，日本富士IGBT模塊，高品質(zhì)IGBT模塊，低價(jià)IGBT模塊，富士IGBT模塊現(xiàn)貨，全新原裝，特價(jià)庫存。

簡介：這款經(jīng)濟(jì)型圓形防水連接器可在-55℃ to 105℃溫度下工作，工作電流可達(dá)到7安培，其中2位的電介質(zhì)耐電壓可達(dá)2200V AC

簡介：近日，備受好評的泰科電子SB系列推出增強(qiáng)型產(chǎn)品 –– SBPlus標(biāo)簽。SBPlus標(biāo)簽擁有更卓越的長期使用性能并有效防止脫層

簡介：新的NCP5680集成型LED閃光和電源管理方案采用0.55 mm薄型封裝，延長電池使用壽命，并顯著提升數(shù)碼照片質(zhì)量

簡介：該產(chǎn)品專為打印泰科電子標(biāo)識封套、線纜標(biāo)識與熱轉(zhuǎn)印標(biāo)簽（包括熱轉(zhuǎn)印Multimark）等產(chǎn)品而設(shè)計(jì)。

簡介：256抽頭數(shù)字可編程電位計(jì)（DPP™） IC提供50 kΩ及100 kΩ電阻選擇，穩(wěn)定度及可靠性更高