電力電子

納米級晶體硅粉末

本發(fā)明提供了BET表面積為20—150m︿2／g的聚集的晶體硅粉末。它是通過如下步驟制得的：使至少一種蒸氣的...[查看詳情]

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晶體硅太陽能電池產(chǎn)業(yè)化及應(yīng)用產(chǎn)品開發(fā)

西安交通大學(xué)太陽能研究所研制的太陽能照明燈系列技術(shù)有：太陽能照明燈設(shè)計技術(shù)、太陽能照明燈過放控制...[查看詳情]

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納米晶體硅量子點薄膜的制備及表征

利用激光燒蝕沉積法在n-Si（100）襯底上制備非晶硅（α-Si）薄膜，再經(jīng)過高溫退火技術(shù)處理使α-Si晶化成...[查看詳情]

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基于數(shù)字圖像處理的晶體硅顆粒形態(tài)分析算法

顆粒形態(tài)分析是準(zhǔn)確進行顆粒識別的基礎(chǔ)．本文利用圖像處理技術(shù)統(tǒng)計顆粒數(shù)目，標(biāo)注顆粒質(zhì)心，計算了顆粒...[查看詳情]

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高純多晶硅及晶體硅光伏電池硅片

2003年以來，我國光伏產(chǎn)業(yè)的生產(chǎn)能力飛速增長。到2006年底，晶體硅光伏電池用硅片的生產(chǎn)能力已超過500MW...[查看詳情]

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工業(yè)化薄晶體硅太陽電池背電極漿料

通過調(diào)整背電極漿料和電池基片厚度，探索了減少太陽電池彎曲度的途徑。[查看詳情]

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納米硅／晶體硅異質(zhì)結(jié)電池的暗I-V特性和輸運機制

采用HWCVD技術(shù)在P型CZ晶體硅襯底上制備了納米硅／晶體硅異質(zhì)結(jié)太陽電池，測量了晶體硅表面在不同氫處理...[查看詳情]

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AFORS—HET軟件模擬N型非晶硅／p型晶體硅異質(zhì)結(jié)太陽電池

運用AFORS-HET程序模擬計算了不同本征層厚度、能隙寬度、發(fā)射層厚度、能帶失配以及不同界面態(tài)密度等參數(shù)...[查看詳情]

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外延晶體硅薄膜電池的EBIC與SR-LBIC特性分析

電子束誘導(dǎo)電流（EBIC:Electron Beam Induced Current）是研究晶體缺陷（如晶界、位錯、沉淀等）復(fù)合特...[查看詳情]

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低成本襯底上快熱CVD法制備晶體硅薄膜電池

以RTCVD方法在低成本襯底——顆粒硅帶（SSP）上制備了外延晶體硅薄膜電池.在20×20mm2上得到的最高轉(zhuǎn)換...[查看詳情]

標(biāo)簽：格式：rar下載次數(shù)：545大小：196.70KB發(fā)布時間：2009-04-26