意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）推出超結(jié)型MDmeshV系列--STW88N65M，新產(chǎn)品的導(dǎo)通電組（On-ResistancePerArea）僅為0.029歐姆，是標(biāo)準(zhǔn)TO-247封裝650伏特市場上導(dǎo)通電組最低的產(chǎn)品，打破同是MDmeshV之0.038歐姆的原產(chǎn)業(yè)指標(biāo)。
其實(shí)，MDmeshV系列的金屬氧化物半導(dǎo)體場效電晶體（MOSFET）之高壓功率已打破世界記錄，其擁有每單位面積最低的導(dǎo)通電組，使能在650伏特額定電壓應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)最高的能效和功率密度。
然而，新產(chǎn)品有過之無不及地提高能效指標(biāo)至23%以上，對(duì)以熱量形式損耗電能的系統(tǒng)功率轉(zhuǎn)換電路，如電子照明控制器、消費(fèi)性電子電源和太陽能電力轉(zhuǎn)換器，能為其在節(jié)能技術(shù)領(lǐng)域跨大步。設(shè)計(jì)工程人員可將新產(chǎn)品替代導(dǎo)通電組較高的MOSFET，以提高終端應(yīng)用的能效，或置入更少的MOSFET電晶體，從而減少封裝尺寸并降低材料（BOM）成本。
功率電晶體市場總監(jiān)MaurizioGiudice表示，新記錄鞏固意法半導(dǎo)體在超接面（Super-Junction）MOSFET市場的地位，MDmeshV展現(xiàn)意法半導(dǎo)體最新經(jīng)市場驗(yàn)證的多重漏極網(wǎng)格（Multi-DrainMesh）技術(shù)，新產(chǎn)品的更高性能降低應(yīng)用設(shè)計(jì)能耗。
值得注意的是，該公司MDmeshV系列產(chǎn)品擁有高安全范圍，能提高M(jìn)OSFET對(duì)交流（AC）電力線上一般一邊突波電壓的承受能力。已上市的新產(chǎn)品，采用多種類型的封裝，包括Max247、TO-247、D2PAK、TO-220/扁平封裝（FlatPackage，F(xiàn)P）、PowerFLAT8×8HV以及I2PAK。
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