蝕刻技術將取代光刻成芯片制造核心

時間：2025-06-23

來源：快科技

導語：6月20日消息，據(jù)媒體報道，英特爾一位董事提出，未來晶體管設計（如GAAFET和CFET）可能降低芯片制造對先進光刻設備（尤其是EUV光刻機）的依賴。這一觀點挑戰(zhàn)了當前先進芯片制造的核心范式。

　　目前，ASML的極紫外(EUV)光刻機是制造高端芯片(如7nm及以下節(jié)點)的關鍵設備，它負責將極其微小的電路設計“打印”到硅晶圓上。

　　然而，該董事認為，像環(huán)繞柵極場效應晶體管(GAAFET)和互補場效應晶體管(CFET)這樣的新型設計，將顯著增加光刻之后制造步驟(特別是刻蝕技術)的重要性，從而削弱光刻在整體工藝中的主導地位。

　　芯片制造流程始于光刻——將設計圖案轉移到晶圓表面。隨后通過沉積添加材料，并通過刻蝕選擇性地去除材料，最終形成晶體管和電路結構。

　　新型晶體管設計的核心在于“包裹”柵極結構(GAAFET)或堆疊晶體管組(CFET)。這種三維結構的復雜性對精確刻蝕提出了更高要求。為了從各個方向“包裹”柵極或創(chuàng)建堆疊結構，芯片制造商需要更精細地、特別是橫向地去除晶圓上的多余材料。

　　因此，該董事指出，未來的重點可能從單純依賴光刻機縮小特征尺寸，轉向更復雜、更關鍵的刻蝕工藝，以確保這些新型三維晶體管結構的精確成型。這預示著芯片制造技術路線可能迎來重大轉變。

中傳動網(wǎng)版權與免責聲明：

凡本網(wǎng)注明[來源：中國傳動網(wǎng)]的所有文字、圖片、音視和視頻文件，版權均為中國傳動網(wǎng)(www.wangxinlc.cn)獨家所有。如需轉載請與0755-82949061聯(lián)系。任何媒體、網(wǎng)站或個人轉載使用時須注明來源“中國傳動網(wǎng)”，違反者本網(wǎng)將追究其法律責任。

本網(wǎng)轉載并注明其他來源的稿件，均來自互聯(lián)網(wǎng)或業(yè)內(nèi)投稿人士，版權屬于原版權人。轉載請保留稿件來源及作者，禁止擅自篡改，違者自負版權法律責任。

如涉及作品內(nèi)容、版權等問題，請在作品發(fā)表之日起一周內(nèi)與本網(wǎng)聯(lián)系，否則視為放棄相關權利。

關注伺服與運動控制公眾號獲取更多資訊

關注直驅(qū)與傳動公眾號獲取更多資訊

關注中國傳動網(wǎng)公眾號獲取更多資訊

最新新聞
查看更多資訊

熱搜詞
  • 運動控制
  • 伺服系統(tǒng)
  • 機器視覺
  • 機械傳動
  • 編碼器
  • 直驅(qū)系統(tǒng)
  • 工業(yè)電源
  • 電力電子
  • 工業(yè)互聯(lián)
  • 高壓變頻器
  • 中低壓變頻器
  • 傳感器
  • 人機界面
  • PLC
  • 電氣聯(lián)接
  • 工業(yè)機器人
  • 低壓電器
  • 機柜
回頂部
點贊 0
取消 0