英飛凌推出超高電流密度功率模塊,助力高性能AI計算

時間:2024-11-06

來源:電子技術應用

導語:2024年11月5日, 德國慕尼黑訊】數(shù)據(jù)中心目前占全球能源消耗的2%以上。在人工智能的推動下,預計到2030年,這一數(shù)字將增長到7%左右,相當于整個印度目前的能耗。

  2024年11月5日, 德國慕尼黑訊】數(shù)據(jù)中心目前占全球能源消耗的2%以上。在人工智能的推動下,預計到2030年,這一數(shù)字將增長到7%左右,相當于整個印度目前的能耗。實現(xiàn)從電網(wǎng)到核心的高效功率轉換對于實現(xiàn)卓越的功率密度至關重要,從而在降低總擁有成本(TCO)的同時提高計算性能。因此,英飛凌科技股份公司(FSE:IFX/OTCQX:IFNNY)將推出TDM2354xD和TDM2354xT雙相電源模塊,具有出色的功率密度,適用于高性能AI數(shù)據(jù)中心。這些模塊實現(xiàn)了真正的垂直功率傳輸(VPD),并提供了業(yè)界領先的電流密度1.6A/mm2。英飛凌在今年早些時候還推出了TDM2254xD雙相功率模塊。

  英飛凌科技公司電源IC副總裁Rakesh Renganathan表示:“我們很自豪能夠使用我們的TDM2354xT和TDM2354xD VPD模塊助力高性能AI數(shù)據(jù)中心。這些半導體器件將憑借英飛凌的商標質量和穩(wěn)健性更大程度地提高系統(tǒng)性能,從而為數(shù)據(jù)中心實現(xiàn)更佳TCO。我們行業(yè)領先的功率器件和封裝技術,結合我們廣泛的系統(tǒng)專業(yè)知識,將進一步推進高性能和綠色計算,作為我們推動數(shù)字化和脫碳使命的一部分。”

  通過采用英飛凌強大的OptiMOS? 6溝道技術、芯片嵌入式封裝(通過提高電氣和熱效率實現(xiàn)超高功率密度),以及新型電感器技術,TDM2354xD和TDM2354xT模塊的外形變得更薄,進而實現(xiàn)了真正的垂直功率傳輸。這兩款模塊也因此樹立了功率密度和質量的新標準,更大程度地提高了AI數(shù)據(jù)中心的計算性能和效率。TDM2354xT模塊支持的最大電流為160 A,是業(yè)內首款采用8 x 8 mm2 小外形尺寸的跨電感穩(wěn)壓器(TLVR)模塊。兩款模塊在與英飛凌的 XDP?控制器相結合后,可提供極快的瞬態(tài)響應,并且最多可將板載輸出電容降低50%,進一步提高了系統(tǒng)功率密度。

  供貨情況

  OptiMOS雙相功率模塊TDM2354xD和TDM2354xT現(xiàn)提供樣品。


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