三星HBM3E簽30億美元大單?

時間:2024-04-26

來源:全球半導體觀察

導語:據(jù)外媒消息,三星已經(jīng)與AMD簽訂價值30億美元的新協(xié)議,將供應HBM3E 12H DRAM,預計會用在Instinct MI350系列上。據(jù)稱,三星還同意購買AMD的GPU以換取HBM產(chǎn)品的交易,但是具體的產(chǎn)品和數(shù)量暫時還不清楚。

       據(jù)外媒消息,三星已經(jīng)與AMD簽訂價值30億美元的新協(xié)議,將供應HBM3E 12H DRAM,預計會用在Instinct MI350系列上。據(jù)稱,三星還同意購買AMD的GPU以換取HBM產(chǎn)品的交易,但是具體的產(chǎn)品和數(shù)量暫時還不清楚。

  去年10月,三星舉辦了“Samsung Memory Tech Day 2023”活動,宣布推出代號為“Shinebolt”的新一代HBM3E DRAM。今年2月,三星宣布已開發(fā)出業(yè)界首款HBM3E 12H DRAM,擁有12層堆疊,容量為36GB,是迄今為止帶寬和容量最高的HBM產(chǎn)品。隨后三星開始向客戶提供了樣品,計劃在今年下半年開始大規(guī)模量產(chǎn)。

  業(yè)界消息顯示,AMD計劃在今年下半年推出Instinct MI350系列,其屬于Instinct MI300系列的升級版本,采用臺積電的4nm工藝制造,以提供更強的性能并降低功耗。并且由于采用了12層堆疊的HBM3E,該系列提高帶寬的同時還加大了容量。

  據(jù)悉,三星HBM3E 12H DRAM高達1280GB/s帶寬,加上36GB,較前代八層堆疊提高50%。HBM3E 12H采用先進熱壓非導電薄膜(TCNCF)技術,使12層與8層芯片高度相同,滿足HBM封裝要求。且芯片不同尺寸凸塊改善HBM熱性能,芯片鍵合時較小凸塊于訊號傳輸區(qū)域,較大凸塊放在需散熱區(qū)域,有助提高產(chǎn)品良率。按照三星的說法,在人工智能應用中,采用HBM3E 12H DRAM預計比HBM3E 8H DRAM的訓練平均速度提高34%,同時推理服務用戶數(shù)量也將增加超過11.5倍。

  據(jù)TrendForce集邦咨詢資深研究副總吳雅婷表示,由于三星是AMD長期以來最重要的策略供應伙伴,2024年第一季,三星HBM3產(chǎn)品也陸續(xù)通過AMD MI300系列驗證,其中包含其8h與12h產(chǎn)品,故自2024年第一季以后,三星HBM3產(chǎn)品將會逐漸放量。

  據(jù)TrendForce集邦咨詢預測,截至2024年底,整體DRAM產(chǎn)業(yè)規(guī)劃生產(chǎn)HBM TSV的產(chǎn)能約為250K/m,占總DRAM產(chǎn)能(約1,800K/m)約14%,供給位元年成長約260%。此外,2023年HBM產(chǎn)值占比之于DRAM整體產(chǎn)業(yè)約8.4%,至2024年底將擴大至20.1%。

  以HBM產(chǎn)能來看,三星、SK海力士(SK hynix)至今年底的HBM產(chǎn)能規(guī)劃最積極,三星HBM總產(chǎn)能至年底將達約130K(含TSV);SK海力士約120K,但產(chǎn)能會依據(jù)驗證進度與客戶訂單持續(xù)而有變化。另以現(xiàn)階段主流產(chǎn)品HBM3產(chǎn)品市占率來看,目前SK海力士于HBM3市場比重逾9成,而三星將隨著后續(xù)數(shù)個季度AMD MI300逐季放量持續(xù)緊追。

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