4月15日，美國(guó)政府宣布與韓國(guó)三星電子達(dá)成一項(xiàng)初步協(xié)議，依據(jù)《芯片法案》提供至多64億美元的直接補(bǔ)貼。基于此，三星將在得克薩斯州投資超過(guò)400億美元，建設(shè)包括兩座先進(jìn)邏輯代工廠(chǎng)，一座封裝廠(chǎng)等一整套半導(dǎo)體研發(fā)和生產(chǎn)生態(tài)。結(jié)合4月上旬拿到66億美元補(bǔ)貼的臺(tái)積電，3月末拿到85億美元補(bǔ)貼的英特爾，以及今年2月拿到15億美元補(bǔ)貼的格芯(GlobalFoundries)，目前四大芯片制造大廠(chǎng)都已經(jīng)拿到補(bǔ)貼。

　　據(jù)TrendForce集邦咨詢(xún)研究顯示，臺(tái)積電、三星、格芯在2023年第四季全球前十大晶圓代工業(yè)者占據(jù)前三榜，而在第三季英特爾也曾成功擠進(jìn)前十榜單，排名第九。TrendForce集邦咨詢(xún)預(yù)計(jì)，2024年在AI相關(guān)需求的帶動(dòng)下，前十大晶圓代工營(yíng)收預(yù)估有機(jī)會(huì)年增12%，達(dá)1,252.4億美元，而臺(tái)積電受惠于先進(jìn)制程訂單穩(wěn)健，年增率將大幅優(yōu)于產(chǎn)業(yè)平均。

　　近期包括臺(tái)積電、三星、聯(lián)電、力積電、世界先進(jìn)在內(nèi)的廠(chǎng)商紛紛發(fā)布最新財(cái)報(bào)，從各家數(shù)據(jù)看，晶圓代工行業(yè)景氣度有所回升。據(jù)悉，臺(tái)積電3月實(shí)現(xiàn)營(yíng)收約60.5億美元，同比增長(zhǎng)34.3%;三星2024年一季度營(yíng)業(yè)利潤(rùn)約為6.6萬(wàn)億韓元(合49億美元)，同比增長(zhǎng)931.3%;力積電今年第一季營(yíng)收108.2億元新臺(tái)幣，毛利率回升至 15.4%;聯(lián)電3月實(shí)現(xiàn)營(yíng)收約5.63億美元，同比增長(zhǎng)2.7%;世界先進(jìn)3月實(shí)現(xiàn)營(yíng)收約1.12億美元，同比增長(zhǎng)44.8%。

　　三星：新建兩座代工廠(chǎng)，擴(kuò)充HBM芯片封裝產(chǎn)能

　　據(jù)美國(guó)商務(wù)部國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)及技術(shù)研究所官網(wǎng)(NIST)貼出的聲明，三星電子此次與美國(guó)政府簽訂的是不具約束力的初步備忘錄。

　　三星電子將在得克薩斯州的兩個(gè)地點(diǎn)建立一個(gè)半導(dǎo)體生態(tài)集群，包括在泰勒市建設(shè)兩座先進(jìn)邏輯代工廠(chǎng)，制程分別為4nm和2nm;在泰勒市新建一座先進(jìn)制程研發(fā)設(shè)施;在泰勒市新建一座可進(jìn)行3D HBM內(nèi)存的生產(chǎn)和2.5D封裝先進(jìn)封裝工廠(chǎng);在奧斯汀擴(kuò)建現(xiàn)有半導(dǎo)體設(shè)施，擴(kuò)大FD-SOI(全耗盡型絕緣體上硅)工藝產(chǎn)能。

　　作為配套美國(guó)政府還將通過(guò)《芯片法案》提供4000萬(wàn)美元的當(dāng)?shù)貏趧?dòng)力培訓(xùn)發(fā)展資金。另外，除了協(xié)議中提到的64億美元直接撥款外，三星還計(jì)劃申請(qǐng)美國(guó)財(cái)政部的投資稅收抵免，預(yù)期能夠覆蓋合規(guī)資本支出的25%。

　　臺(tái)積電：66億美元補(bǔ)助，將在美建設(shè)第三座晶圓廠(chǎng)

　　4月8日，美國(guó)商務(wù)部和臺(tái)積電簽署一份不具約束力的初步備忘錄(PMT)，基于《芯片與科學(xué)法》，臺(tái)積電將獲得最高可達(dá)66億美元的直接補(bǔ)助。當(dāng)日臺(tái)積電宣布計(jì)劃在美國(guó)亞利桑那州建設(shè)第三座晶圓廠(chǎng)。

　　當(dāng)前，臺(tái)積電在美國(guó)亞利桑那州的晶圓一廠(chǎng)、二廠(chǎng)正在如火如荼地進(jìn)行。其中，晶圓一廠(chǎng)有望于2025年上半年開(kāi)始采用4nm技術(shù)生產(chǎn)。晶圓二廠(chǎng)除了之前宣布的3nm技術(shù)外，還將生產(chǎn)世界上最先進(jìn)的2nm工藝技術(shù)，采用下一代納米片晶體管，并于2025年開(kāi)始生產(chǎn)。

　　臺(tái)積電表示，其第三座晶圓廠(chǎng)將使用2納米或更先進(jìn)的工藝生產(chǎn)芯片，并計(jì)劃在2028年開(kāi)始生產(chǎn)，預(yù)計(jì)將創(chuàng)造約6,000個(gè)直接高科技、高薪工作崗位。此外，根據(jù)大鳳凰城經(jīng)濟(jì)發(fā)展促進(jìn)會(huì)(Greater Phoenix Economic Council)的分析報(bào)告，針對(duì)這三座晶圓廠(chǎng)的增額投資將創(chuàng)造累計(jì)超過(guò)2萬(wàn)個(gè)單次的建造工作機(jī)會(huì)，以及數(shù)以萬(wàn)計(jì)的間接供應(yīng)商和消費(fèi)端累計(jì)的工作機(jī)會(huì)。

　　據(jù)悉，算上美國(guó)政府的補(bǔ)貼，臺(tái)積電在亞利桑那州建設(shè)的三座晶圓廠(chǎng)投資總金額將超過(guò)650億美元，其中包括先前宣布的400億美元投資計(jì)劃，此次追加的250億美元將主要用于第三座晶圓廠(chǎng)的建設(shè)經(jīng)費(fèi)上。對(duì)此，美國(guó)商務(wù)部長(zhǎng)雷蒙多(Gina Raimondo)表示，這些晶圓廠(chǎng)將支援所有人工智能的芯片。

　　英特爾：195億美元補(bǔ)貼，最少建設(shè)兩座新廠(chǎng)

　　3月20日，美國(guó)商務(wù)部宣布，與英特爾達(dá)成一份不具約束力的初步條款備忘錄(PMT)，將根據(jù)美國(guó)芯片法案向英特爾提供至多85億美元的直接資金和最高110億美元貸款。

　　其中，85億美元的直接資金將分批發(fā)放，這取決于英特爾是否達(dá)到一些特定的“里程碑”。一旦協(xié)議被確定，提供給英特爾的相關(guān)資金最早或在今年晚些時(shí)候到位。

　　英特爾將在美國(guó)四個(gè)州投資超1000億美元，包括在亞利桑那州和俄亥俄州大型工廠(chǎng)生產(chǎn)尖端半導(dǎo)體，以及俄勒岡州和新墨西哥州小型工廠(chǎng)的設(shè)備研發(fā)和先進(jìn)封裝項(xiàng)目。

　　資料顯示，英特爾于2022年宣布在俄亥俄州建設(shè)兩座新廠(chǎng)，預(yù)計(jì)完工時(shí)間為2025年。不過(guò)近期英特爾表示，兩座工廠(chǎng)的實(shí)際建設(shè)完工時(shí)間或?qū)⑼七t到2026年或2027年，而投產(chǎn)則要等到2027年或2028年。

　　格芯：獲15億美元補(bǔ)貼，新建一個(gè)半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)施

　　2月19日，美國(guó)政府宣布向格芯(Global Foundries)提供15億美元資金補(bǔ)貼，根據(jù)與美國(guó)商務(wù)部達(dá)成的初步協(xié)議，格芯將在美國(guó)紐約州馬耳他建立一個(gè)新的半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)施，并擴(kuò)大在馬耳他和佛蒙特州伯靈頓的現(xiàn)有業(yè)務(wù)。

　　此外，除了15億美元的補(bǔ)貼之外，政府還將提供給格芯16億美元的貸款，最后帶動(dòng)的投資可能在120億美元左右。

　　針對(duì)格芯補(bǔ)貼，美國(guó)商務(wù)部長(zhǎng)雷蒙多說(shuō)，格芯馬耳他工廠(chǎng)的擴(kuò)建將確保通用汽車(chē)(GM)等汽車(chē)供應(yīng)商和制造商能取得穩(wěn)定的的芯片供給。格芯和通用汽車(chē)在2月9日已宣布了長(zhǎng)期協(xié)議，通用將能取得美國(guó)制造的處理器，以避免芯片短缺，導(dǎo)致工廠(chǎng)停產(chǎn)的事件重演。而格芯整修后的伯靈頓工廠(chǎng)將成為美國(guó)第一家能夠大量生產(chǎn)下一代氮化鎵(GaN)硅芯片的工廠(chǎng)，此種芯片可用于電動(dòng)車(chē)、電網(wǎng)和智能手機(jī)。