業(yè)內(nèi)分析人士認(rèn)為，年底前 DRAM、NAND 的合約價(jià)將會迎來一波大漲，因?yàn)槿亲羁毂驹聦⑿潞灱s的訂單開始提升價(jià)格。之前包含三星存儲在內(nèi)的存儲大廠相繼表示 NAND 芯片減產(chǎn)以提振 NAND 芯片價(jià)格，目前來看將迎來上行周期。
據(jù)悉，去年下半年開始的高通脹和全球經(jīng)濟(jì)前景惡化持續(xù)刺激導(dǎo)致芯片市場需求萎靡，尤其存儲芯片，使芯片產(chǎn)業(yè)陷入前所未有的低迷期。2023 年第一季度三星的 DRAM 芯片銷售 40.1 億美金，同比爆降 61.2%，其中 NAND 芯片銷售降至 29.9 億美金，同比直接腰斬。
全球存儲芯片迎來低谷潮，價(jià)格一路下跌，去年開始同為韓國存儲巨頭的 SK 海力士帶頭宣布減產(chǎn)，三星存儲也在今年年初跟進(jìn)，并在 4 月宣布擴(kuò)大減產(chǎn)幅度，目前來看 DRAM 芯片的價(jià)格終于回升，但 NAND 芯片價(jià)格還未見起色。
由于 NAND 芯片利潤比 DRAM 芯片低，因此三星近來積極推動價(jià)格正?；Ｈ侵氨硎疽诿髂甑诙径冗_(dá)成 NAND 芯片事業(yè)收支打平，因此決定在減產(chǎn)之余還要調(diào)漲芯片價(jià)格。
SK 證券公司分析師 Han Dong-hee 表示：三星電子的第二波減產(chǎn)行動及獲利至上政策，可望激勵存儲芯片價(jià)格反彈。另一方面，對于三星、SK 海力士及美光持續(xù)減少供給，意圖帶動 DRAM/NAND合約價(jià)及現(xiàn)貨價(jià)止跌回升。
此外業(yè)內(nèi)分析人士認(rèn)為目前 DRAM 現(xiàn)貨報(bào)價(jià)以 DDR5 漲勢最為明顯，主要是庫存較少，DDR4 庫存水位雖偏高，三大存儲廠的 DRAM 減產(chǎn)重點(diǎn)鎖定于 DDR4，而 DDR5 則是擴(kuò)大生產(chǎn)，預(yù)計(jì)今年年底到明年 DDR5 銷售比重將提升至 30%～40%。
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