近日，有消息稱，國內(nèi)存儲芯片大廠長江存儲已向客戶交付了192層堆疊的3D NAND閃存芯片。而預(yù)計在2022年底或2023年初，會實現(xiàn)232層堆疊的3D NAND閃存技術(shù)。

　　這意味著國內(nèi)存儲芯片廠商，終于追上三星、美光了。要知道美光是前不久才發(fā)布了業(yè)界首個 232 層堆棧的 3D NAND Flash芯片，而大規(guī)模量產(chǎn)和應(yīng)用要到2022年底或2023年初去了。

　　而三星預(yù)計也是在2022年內(nèi)推出200層以上的3D NAND閃存芯片，而大規(guī)模應(yīng)用也要到2023年去了。

　　可見，國產(chǎn)存儲芯片，在技術(shù)上確實已經(jīng)追上了三星、美光這樣的頂級大廠，大家差不多處于同一水平線了。

　　而仔細說起來，國產(chǎn)存儲芯片從之前的落后20年，到現(xiàn)在追上頂級水平，其實只花了6年時間。

　　長江存儲是2016年成立的，總投資1600億元，預(yù)計建設(shè)目標(biāo)是總產(chǎn)能30萬片/月，年產(chǎn)值將超過100億美元，拿下全球20%以上的市場份額，成為全球知名的NAND閃存廠商。

　　而2016年時，國內(nèi)在存儲芯片上基本一片空白，落后國外水平至少是20年以上。所以很多人并不看好長江存儲，覺得可能需要很久的時候，才有可能追上三星、美光等。

　　不曾想長江存儲進度非常快，2017年就研制成功了中國第一顆3D NAND閃存芯片，然后在2018年實現(xiàn)了量產(chǎn)，雖然落后國外很多，但有了0的突破。

　　后來長江存儲又自研出了Xtacking架構(gòu)，大幅度的提高了存儲密度。并在2019年9月份，基于自研Xtacking架構(gòu)，推出了64層3D NAND Flash，拉近了與三星、美光之間的差距。

　　接著長江存儲實現(xiàn)了跳躍式發(fā)展，跳過了96層，直接在2020年4月，發(fā)布了128層3D NAND 閃存，再次縮小與三星、美光的差距。

　　并且基于Xtacking架構(gòu)，長江存儲128層堆疊的NAND閃存芯片，其存儲密度達到了8.48 Gb/mm?，遠高于三星、美光、SK海力士等一線NAND芯片大廠。

　　可能很多人不理解，堆疊層數(shù)多少有什么意義?在存儲芯片領(lǐng)域，堆疊層數(shù)越高，意味著工藝越先進，意味著存儲密度越高，芯片的成本越低，尺寸越小。

　　大家原本以為，長江存儲從128層跨越到232層，可能需要幾年時間，不曾想在美光、三星進入232層時，長江存儲馬上也追了上來。

　　而按照機構(gòu)的數(shù)據(jù)，2021年，國產(chǎn)存儲芯片的市場份額為4%，而2022年可以達到7%左右，而2023年預(yù)計會達到12-15%。

　　這也就意味著，長江存儲真的花了6年多一點的時間，就把原本落后至少20多年的存儲芯片技術(shù)，追了上來，市場也是飛速增長，這實在是太牛了。

　　而長江存儲也給大家證明了一個事實，那就是只要認真扎實去研發(fā)，芯片技術(shù)一樣難不倒我們。