第三代半導(dǎo)體蓄勢:新材料進(jìn)入新領(lǐng)域

時(shí)間:2021-07-22

來源:化工儀器網(wǎng)

導(dǎo)語:我國把大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),寫入“十四五”規(guī)劃,計(jì)劃在2021-2025年期間,在教育、科研、開發(fā)、融資、應(yīng)用等各個(gè)方面,大力發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),以期實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)獨(dú)立自主?!暗谌雽?dǎo)體”成了熱度較高的明星詞,人們驚呼下一個(gè)風(fēng)口來了。

  我國把大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),寫入“十四五”規(guī)劃,計(jì)劃在2021-2025年期間,在教育、科研、開發(fā)、融資、應(yīng)用等各個(gè)方面,大力發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),以期實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)獨(dú)立自主?!暗谌雽?dǎo)體”成了熱度較高的明星詞,人們驚呼下一個(gè)風(fēng)口來了。

  推陳出新 代代優(yōu)化

  顧名思義,半導(dǎo)體即常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體與絕緣體之間的材料,早在1833年電子學(xué)之父法拉第就發(fā)現(xiàn)了半導(dǎo)體現(xiàn)象,從第一代到第三代,半導(dǎo)體的材料在更新?lián)Q代,其應(yīng)用領(lǐng)域也越來越廣。

  第一代半導(dǎo)體材料在20世紀(jì)50年代出現(xiàn),以硅、鍺為代表,構(gòu)成了一切邏輯器件的基礎(chǔ),主要用于分立器件和芯片制造。第二代半導(dǎo)體材料,發(fā)明并實(shí)用于20世紀(jì)80年代,主要是指化合物半導(dǎo)體材料,以砷化鎵、磷化銦為代表。第二代半導(dǎo)體在發(fā)電率上有所突破,因此用于制作高速、高頻、大功率以及發(fā)光電子器件,廣泛應(yīng)用在微波通信、光通信、衛(wèi)星通信、光電器件、激光器和衛(wèi)星導(dǎo)航等領(lǐng)域。

  本世紀(jì)初期,第三代半導(dǎo)體的探索之路逐漸開始,涌現(xiàn)出了碳化硅、氮化鎵、氧化鋅、金剛石、氮化鋁等具有寬禁帶特性的新興半導(dǎo)體材料,因此也被稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料。第三代半導(dǎo)體材料廣泛用于制作高溫、高頻、大功率和抗輻射電子器件,應(yīng)用于半導(dǎo)體照明、5G通信、衛(wèi)星通信、光通信、電力電子、航空航天等領(lǐng)域。

  優(yōu)勢凸顯 創(chuàng)新應(yīng)用

  在5G和新能源汽車等新市場需求的驅(qū)動(dòng)下,第三代半導(dǎo)體材料有望迎來加速發(fā)展。硅基半導(dǎo)體的性能已無法完全滿足5G和新能源汽車的需求,因此,碳化硅和氮化鎵等第三代半導(dǎo)體的優(yōu)勢被放大。

  新能源汽車

  在新能源汽車領(lǐng)域,碳化硅器件主要可以應(yīng)用于功率控制單元、逆變器、車載充電器等方面。碳化硅功率器件輕量化、高效率、耐高溫的特性能夠有效降低新能源汽車的成本。

  以Model 3搭載的碳化硅功率器件為例,其輕量化的特性能夠節(jié)省電動(dòng)汽車內(nèi)部空間,高效率的特點(diǎn)有效降低了電動(dòng)汽車電池成本,同時(shí)材料耐高溫的優(yōu)勢降低了對(duì)冷卻系統(tǒng)的要求,節(jié)約冷卻成本。

  軌道交通

  在軌道交通領(lǐng)域,碳化硅器件能大幅提升牽引變流裝置的效率,符合軌道交通綠色化、小型化、輕量化的發(fā)展趨勢。近日完成調(diào)試的蘇州3號(hào)線0312號(hào)列車是國內(nèi)首個(gè)基于碳化硅變流技術(shù)的牽引系統(tǒng)項(xiàng)目,采用碳化硅半導(dǎo)體技術(shù),在提高系統(tǒng)效率的同時(shí)降低了噪聲,提升了乘客的舒適度。

  快充

  氮化鎵半導(dǎo)體具備導(dǎo)通電阻小、損耗低以及能源轉(zhuǎn)換效率高等優(yōu)點(diǎn),由氮化鎵制成的充電器還可以做到快速充電。安卓端率先將氮化鎵技術(shù)導(dǎo)入到快充領(lǐng)域,隨著氮化鎵生產(chǎn)成本迅速下降,氮化鎵快充有望成為消費(fèi)電子領(lǐng)域下一個(gè)殺手級(jí)應(yīng)用。2020年2月,小米推出65W氮化鎵充電器,體積比小米筆記本充電器縮小48%,并且售價(jià)創(chuàng)下業(yè)內(nèi)新低。隨著氮化鎵半導(dǎo)體技術(shù)逐步提升,規(guī)模效應(yīng)會(huì)帶動(dòng)成本越來越低,未來氮化鎵充電器的滲透率會(huì)不斷提升。

  2020年,國務(wù)院發(fā)布《新時(shí)期促進(jìn)集成電路產(chǎn)業(yè)和軟件產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展若干政策的通知》,為第三代半導(dǎo)體的發(fā)展提供政策支持。雖然在技術(shù)和企業(yè)規(guī)模上我國半導(dǎo)體技術(shù)與一些國家仍有差距,但是面對(duì)產(chǎn)業(yè)短板,我國已經(jīng)做好科學(xué)合理的規(guī)劃,在助力地方投資建設(shè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的同時(shí),加大人才培養(yǎng),上下游協(xié)同,更好的培育第三代半導(dǎo)體。

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