索尼公司(下稱：索尼)宣布，將發(fā)布兩款用于工業(yè)設(shè)備的新型短波紅外(以下簡稱SWIR)圖像傳感器。新款傳感器能夠在紅外短波范圍內(nèi)，捕捉在可見光和不可見光光譜中的影像，并采用業(yè)界最小*1的5微米像素尺寸，整體尺寸小巧緊湊。
新款傳感器采用索尼原發(fā)的SenSWIR*2技術(shù)：在銦砷化鎵(InGaAs)化合物的半導(dǎo)體層上構(gòu)建光電二極管；二極管之間則通過帶有硅涂層的銅-銅連接*3相連，形成一個(gè)讀出電路——這樣的設(shè)計(jì)可以保持對(duì)寬廣范圍波長的高靈敏度。這一技術(shù)突破催生了此次發(fā)布的新型SWIR圖像傳感器，它結(jié)構(gòu)緊湊，但能夠在較大的波長范圍中捕獲影像，包括短波紅外波段的可見和不可見光譜(波長范圍：0.4微米至1.7微米)。
該傳感器甚至可以感應(yīng)到人眼無法看見的波長影像，能夠支持多功能攝像頭和測(cè)試設(shè)備的開發(fā)，并為工業(yè)設(shè)備的多樣化發(fā)展做出貢獻(xiàn)。
MX990?SWIR圖像傳感器陶瓷貼裝LGA(左)與內(nèi)置熱電裝置的陶瓷貼裝PGA(右)
*1：所有使用InGaAs的SWIR圖像傳感器范圍內(nèi)，根據(jù)索尼調(diào)查。(截至2020年5月12日)。
*2：構(gòu)成受光型光電二極管的InGaAs層與構(gòu)成讀出電路的硅層通過銅-銅連接相連。這使得磷化銦(InP)層更薄，可見光得以穿透。
*3：一種技術(shù)，當(dāng)將背光式CMOS圖像傳感器零部件(頂部芯片)和邏輯電路(底部芯片)堆疊時(shí)，可通過連接銅板來實(shí)現(xiàn)持續(xù)性供電。與硅通孔(TSV)布線相比，這種連接是通過穿透像素區(qū)域周圍的電極來實(shí)現(xiàn)的，這種方式讓設(shè)計(jì)更為自由，生產(chǎn)率更高，傳感器尺寸更緊湊，并提升了產(chǎn)品性能。
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