受內(nèi)存報(bào)價(jià)大跌、美中貿(mào)易戰(zhàn)導(dǎo)致下游拉貨保守影響，國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SEMI)13日下修今年全球晶圓廠資本支出預(yù)估值至529億美元，年減14%，終止連三年成長。

SEMI今年初原估今年衰退幅度約9%，不到二個(gè)月再提出更悲觀的報(bào)告，凸顯全球半導(dǎo)體景氣下修幅度超乎預(yù)期，晶圓廠對(duì)今年資本支出更保守。

晶圓廠資本支出，主要來自于臺(tái)積電、三星、英特爾等大型芯片制造商投入的設(shè)備支出金額，隨著整體晶圓廠投資步調(diào)放緩甚至轉(zhuǎn)趨衰退，意味整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈景氣同步向下，從上游的高通、聯(lián)發(fā)科等IC設(shè)計(jì)商，到臺(tái)積電等晶圓制造商，及日月光等封測廠，將受影響。

業(yè)界分析，全球半導(dǎo)體設(shè)備市場動(dòng)向，反映主要大廠投資狀況，若景氣擴(kuò)張，大廠積極投資，設(shè)備市場也會(huì)同步成長;反之，若景氣清淡，大廠投資意愿也會(huì)轉(zhuǎn)趨觀望甚至保守，使得設(shè)備市場規(guī)?？s減。

SEMI表示，半導(dǎo)體設(shè)備銷售從去年5月反轉(zhuǎn)向下，使得矽晶圓和材料廠出貨也在去年10月起由高峰向下。SEMI認(rèn)為，內(nèi)存價(jià)格下跌，導(dǎo)致大廠不愿擴(kuò)產(chǎn)破壞供需，投資縮手，中美貿(mào)易戰(zhàn)使下游客戶拉貨觀望影響，晶圓廠資本投資同步大踩煞車，其中又以先進(jìn)內(nèi)存制造商、中國大陸晶圓廠，以及28納米以上成熟制程業(yè)者的資本支出縮減幅度最為明顯。

臺(tái)積電預(yù)估今年不含內(nèi)存，全球半導(dǎo)體景氣僅微增1%，若加計(jì)內(nèi)存，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)今年應(yīng)會(huì)衰退，目前包括內(nèi)存、邏輯芯片市況都不好，使得各大半導(dǎo)體廠資本支出趨保守。

5G、AI將是產(chǎn)業(yè)下一波成長動(dòng)能

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)今年雖遇逆風(fēng)，但SEMI強(qiáng)調(diào)，第五代移動(dòng)通訊(5G)和人工智能(AI)將是產(chǎn)業(yè)下一波成長動(dòng)能。受惠于下世代新興產(chǎn)品需求增加，明年晶圓廠設(shè)備支出可望回升至670億美元，再寫新猷，年增27%。

晶圓代工龍頭臺(tái)積電也預(yù)期在5G和AI驅(qū)動(dòng)下，有信心明年又會(huì)回到營收和獲利年增5%至10%的成長軌跡，且會(huì)持續(xù)好幾年。因此，臺(tái)積電今年資本支出雖下修為100億至105億美元，但明年有機(jī)會(huì)向120億美元的高資本支出推進(jìn)。

臺(tái)積電并看好未來5G和AI應(yīng)用需要更多先進(jìn)制程，尤其是7納米以下更為強(qiáng)勁。因應(yīng)未來客戶端需求，臺(tái)積電今年第2季將導(dǎo)入7納米強(qiáng)化版制程量產(chǎn)，明年再推進(jìn)到5納米制程量產(chǎn)。

SEMI全球行銷長暨臺(tái)灣區(qū)總裁曹世綸表示，近期半導(dǎo)體遇到逆風(fēng)，但產(chǎn)業(yè)在商業(yè)循環(huán)進(jìn)入一個(gè)相對(duì)穩(wěn)定階段，且5G相關(guān)應(yīng)用陸續(xù)展開，將帶動(dòng)大爆發(fā)。

他強(qiáng)調(diào)，未來三至五年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)雖有巨大芯片需求及市場機(jī)會(huì)，但技術(shù)上的挑戰(zhàn)伴隨而生，以“不同技術(shù)、不同功能、不同材料之間的異質(zhì)整合”創(chuàng)新及創(chuàng)造高價(jià)值的終端應(yīng)用產(chǎn)品，成后摩爾定律時(shí)代主流技術(shù)方向。

曹世綸表示，隨異質(zhì)整合成為技術(shù)趨勢(shì)，以及AI、5G將更多跨領(lǐng)域的高科技串連在一塊的趨勢(shì)逐漸明朗化，對(duì)于能跨界整合及擁有多元技術(shù)背景的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)人才需求將會(huì)更加提升。

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