隨著存儲器價格的下滑,接下來全球半導體產(chǎn)業(yè)將面臨一輪新的低迷。對此,半導體設備和材料國際協(xié)會(SEMI),日前已經(jīng)將2019年全球的半導體產(chǎn)業(yè)預期資本支出,下調(diào)至更低的水平上。其中,SEMI預測半導體大國韓國,其半導體產(chǎn)業(yè)的資本支出與2018年相較,將下降34.7%。但是在中國臺灣地區(qū),則預期將會逆勢成長,較2018年成長24.2%,達到114.38億美元。
根據(jù)SEMI最近的最新報告中指出,2019年全球晶圓廠設備支出總額可能達到557.8億美元,相較2018年減少7.8%。這樣的數(shù)字較2018年9月時提出的675億美元,成長表現(xiàn)已經(jīng)從之前14%下調(diào)到當前9%。其中,在存儲器產(chǎn)業(yè)的部分,制造商的資本支出預計將下降19%,而不是原本預計的成長3%。而在DRAM產(chǎn)業(yè)方面,估計2019年將下降23%,NANDFlash的部分則是下滑13%。
此外,針對半導體大國韓國,2019年半導體產(chǎn)業(yè)的資本支出,預計將達到120.87億美元,較2018年下降34.7%,這將有可能引發(fā)整體產(chǎn)業(yè)的衰退潮。至于,在中國半導體方面,2018年資本支出雖然成長84.3%,但預計2019年將下降2%,金額將達到119.57億美元。
另外,預計中國臺灣地區(qū)的半導體產(chǎn)業(yè)資本支出將達114.38億美元,較2018年成長24.2%,這方面歸功于臺積電在7納米以下新的先進制程投資所造成結果。至于美國存儲器大廠美光,則將成長28%,金額達到105億美元。
而SEMI表示,為了因應2019年面臨的半導體景氣逆風,韓國三星電子可能會減少對平澤的P1廠和P2廠設施,以及華城的S3廠的相關資本投資。至于,一心想擴展DRAM產(chǎn)業(yè)的韓國另一家半導體大廠SK海力士,預計將放慢DRAM技術發(fā)展的速度。而除了韓國半導體公司之外,SEMI還表示,格芯也正在重新考慮其在成都新建廠的計劃。還有中芯國際以及聯(lián)華電子目前也正在進行相關資本支出延遲的規(guī)劃。