中國存儲器三大陣營成形,存儲器芯片制造離量產還有多遠?

時間:2018-04-12

來源:網絡轉載

導語:2017年9月長江存儲新建的國家存儲器基地項目(一期)一號生產及動力廠房實現(xiàn)提前封頂,2018年2月份進行廠內潔凈室裝修和空調、消防等系統(tǒng)安裝,正是為4月搬入機臺設備而準備,預計很快就可以實現(xiàn)3DNAND量產。

4月11日,長江存儲以“芯存長江,智儲未來”為主題,慶賀存儲器基地正式移入生產設備。

2017年9月長江存儲新建的國家存儲器基地項目(一期)一號生產及動力廠房實現(xiàn)提前封頂,2018年2月份進行廠內潔凈室裝修和空調、消防等系統(tǒng)安裝,正是為4月搬入機臺設備而準備,預計很快就可以實現(xiàn)3DNAND量產。

中國內需龐大,不僅有華為、聯(lián)想等終端制造商,還有百度、騰訊、阿里巴巴等互聯(lián)網巨頭,再加上中國物聯(lián)網、人工智能、機器人等產業(yè)的快速發(fā)展,中國對半導體芯片需求龐大,尤其是存儲器。

對于中國而言,芯片國產化是一個戰(zhàn)略目標,長江存儲存儲器一期廠房建設的完工以及廠房正式移入生產設備,代表著國產存儲正式進入正軌。

據(jù)悉,國家存儲器基地一期規(guī)劃投資240億美元,占地面積1968畝,建設3座全球單座潔凈面積最大的3DNAND閃存生產廠房,存儲器基地一號項目未來總產能將達到30萬片/月。

9日的CITE大會上,趙偉國表示:武漢長江存儲基地4月11日開始移入生產設備,后續(xù)將實現(xiàn)32層64G存儲器小規(guī)模量產。

在長江存儲發(fā)展規(guī)劃中,第一階段長江存儲將以3DNandFlash做為切入點,通過技術合作支持爭取快速發(fā)展,第二階段目標到2020年月產能達到30萬片,趙偉國稱藉此長江存儲將能進入世界內存企業(yè)的第一梯隊,這階段將能貢獻中國芯片制造自產率的8%,中國目標在2020年芯片自給率要達到40%。

趙偉國曾透露,目前已經籌集1800億人民幣,其中武漢800億,成都、南京兩個基地各500億元。紫光正在和重慶市政府、國家大基金發(fā)起紫光國芯集成電路股份有限公司(簡稱大公司),注冊資本1000億人民幣,注冊地是重慶。希望通過注冊資本1000億的大公司合計籌集1900億??傆?700億,足夠五年的彈藥。

中國存儲器三大陣營成形

中囯己有三家企業(yè)向存儲器芯片制造發(fā)起沖鋒,分別是武漢長江存儲的32層3DNAND閃存;福建晉華的是32納米的DRAM利基型產品;以及合肥長鑫(睿力)的19納米DRAM。而且三家都聲稱2018年底前將實現(xiàn)試產,開通生產線。

如果再計及紫光分別在南京和成都剛宣布再建兩個存儲器基地,總計己有五家企業(yè)。

中國半導體業(yè)要上馬存儲器芯片制造,當時大多數(shù)人持謹慎態(tài)度,不是看輕自己,而是存儲器業(yè)的競爭太激烈。

以目前現(xiàn)況來看,中國發(fā)展存儲器的策略能否成功,未來的3~5年將是極其重要的關鍵期,特別是強化IP的布局,中國政府以及廠商未來必須憑借內需市場、優(yōu)秀的開發(fā)能力,以及具國際水平的產能,取得與國際廠商最有利的談判籌碼,才有機會立足全球并占有一席之地。

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