此次正式開工建設(shè)的國家存儲器基地項(xiàng)目位于武漢東湖高新區(qū)的武漢未來科技城，將建設(shè)3座全球單座潔凈面積最大的儲存型快閃存儲器FAB廠房。

紫光集團(tuán)董事長趙偉國表示：“我們在武漢投資兩百四十億美金的芯片工廠，已經(jīng)正式動工，昨天我剛剛在成都，和四川省簽下了兩千億的協(xié)議。我們會在那里投資一個，也是一個超過兩百億美金芯片的工廠“。紫光布局半導(dǎo)體戰(zhàn)略，先是與成都市、新華集團(tuán)共同簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議，要在四川打造百億云計算中心。

存儲器最能代表集成電路產(chǎn)業(yè)規(guī)模經(jīng)濟(jì)效益和先進(jìn)制造工藝，據(jù)統(tǒng)計，存儲芯片在整個芯片市場占比超過25%，未來將達(dá)到45%左右。國家存儲器基地正式動工建設(shè)不僅僅是一個項(xiàng)目的開工，更具有特別的意義，存儲器基地項(xiàng)目是中國集成電路存儲芯片產(chǎn)業(yè)規(guī)模化發(fā)展“零”的突破，相當(dāng)于中國科技領(lǐng)域的遼寧號航空母艦出海試航。

中國面臨發(fā)展存儲器的歷史性機(jī)遇，或許是最后的機(jī)遇。

一是國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在向中國轉(zhuǎn)移；

二是中國消費(fèi)市場巨大，有足夠的需求拉動消費(fèi)；

三是存儲器行業(yè)出現(xiàn)新的增長引擎，如物聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)中心、智能家居、穿戴設(shè)備等；

四是新技術(shù)的出現(xiàn)，老技術(shù)迎來拐點(diǎn)，中國有望出現(xiàn)發(fā)展存儲器捷徑，縮小差距；

五是國家政策對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的大力扶持，是中國產(chǎn)業(yè)界發(fā)展存儲器的良好契機(jī)。

雖然中國自主3D儲存型快閃存儲器面臨難得機(jī)遇期，但由于門檻較高，仍有很長且很艱巨的路要走，這是一個持久戰(zhàn)，我們需要有清醒的認(rèn)識和思想準(zhǔn)備。從三星、東芝、海力士、美光的3D儲存型快閃存儲器研發(fā)經(jīng)歷也可以看出，盡管他們都投入了大量資源，但仍耗費(fèi)相當(dāng)長的時間才構(gòu)建完成，3D儲存型快閃存儲器技術(shù)的發(fā)展成熟以及制作當(dāng)中所必需的精密工藝技術(shù)都需要長時間打磨方可實(shí)現(xiàn)。

國家存儲器基地項(xiàng)目的實(shí)施將打破我國主流存儲器領(lǐng)域的空白

CBN點(diǎn)評：國家存儲器基地項(xiàng)目建成后，還將帶動設(shè)計、封裝、制造、應(yīng)用等芯片產(chǎn)業(yè)相關(guān)環(huán)節(jié)的發(fā)展，為行業(yè)發(fā)展起到推動作用。A股市場相關(guān)概念股紫光國芯、深科技、音飛儲存以及長電科技等有望受益。

芯片國產(chǎn)化是我國在信息安全自主可控政策的實(shí)踐領(lǐng)域之一，作為信息技術(shù)的基礎(chǔ)產(chǎn)業(yè)，半導(dǎo)體集成電路持續(xù)受到了國家政策的扶持。而存儲器是集成電路產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)產(chǎn)品之一，產(chǎn)品的成熟度和產(chǎn)業(yè)的規(guī)模效應(yīng)均較為顯著，國家存儲器基地的建立，標(biāo)志著芯片國產(chǎn)化之路邁出可靠而重要的一步。

存儲器芯片市場是全球壟斷最為嚴(yán)重的芯片細(xì)分市場，DRAM和NANDFLASH芯片市場長期被韓國美日壟斷，尤其以韓國三星、SKHynix兩家為首，共占據(jù)了DRAM市場和NANDFLASH市場70%和50%的市場份額。中國于2013年發(fā)布了自主研發(fā)的55納米相變存儲芯片，成為繼美國和韓國后，全球第三個掌握相變存儲技術(shù)的國家。

在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)上升為國家戰(zhàn)略的大背景下，我國芯片產(chǎn)業(yè)鏈上的企業(yè)發(fā)展前景值得期待。從上市公司來看，紫光國芯是國內(nèi)IC設(shè)計龍頭企業(yè)，主要產(chǎn)品包括智能芯片、特種集成電路及存儲芯片。公司技術(shù)積累雄厚，市場優(yōu)勢突出，是國內(nèi)稀缺的IC設(shè)計、制造平臺型公司。

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