構(gòu)建中國存儲器的夢一步步在向前推進，繼今年4月武漢“新芯”宣布動工，公布了宏偉的規(guī)劃蘭圖。如今紫光入圍，成立長江存儲科技有限責(zé)任公司，并推選趙偉國當董事長，丁文武當副董事長，表明項目再次取得實質(zhì)性的進展。

中國下決心做存儲器芯片，是個特別重大，而又十分艱難的決定。國內(nèi)外對于項目上馬的看法差異很大，就目前非常有限的資料來判斷，一定取得勝算的把握可能尚不好預(yù)測。

中國存儲器業(yè)的發(fā)展剛剛啟步，目前存儲器有三個方面的力量正在聚集，一是政府主導(dǎo)的武漢新芯，它們與Spansion及中科院微電子所等合作，據(jù)說己經(jīng)有9層3DNAND樣品；二是紫光，它的策略是先通過兼并，達到一定高度之后再自行研發(fā)；三是兩個地方政府，福建與合肥，它們試圖尋找技術(shù)伙伴，或者挖技術(shù)團隊后再前進。

總體上產(chǎn)業(yè)發(fā)展的三條路徑，研發(fā)，兼并及合資，合作都是十分有效，然而經(jīng)過一段時間的實踐，有一定進展，但是情況也有些變化。

兼并

紫光把希望寄于通過兼并，讓中國的存儲器業(yè)的起點抬高，再進行自主研發(fā)。這樣的思維聽起來是務(wù)實的，然而由于中國處在特定環(huán)境下，許多正常的兼并貿(mào)易都被美國CFIUS否決。綜合起來近時期紫光的實踐，欲聯(lián)手美光等，希望能得到技術(shù)支持的想法恐怕難以實現(xiàn)。更有傳聞欲學(xué)習(xí)臺灣地區(qū)的“華亞科”模式，由中方出資，美光技術(shù)主導(dǎo)，最終成為美光在全球布局的一部分。如果是這樣的結(jié)局恐怕有違于中國開初建設(shè)存儲器芯片事業(yè)的初衷。

因此現(xiàn)階段的兼并之路恐難以為繼。

合資與合作

福建“晉華”開創(chuàng)出一條新路。原本依制鞋，服裝出口為主的僑鄉(xiāng)，試圖產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型進入存儲器芯片制造領(lǐng)域，近期還得到大基金等的支持。

晉華的模式很清晰，中方出資，技術(shù)上依賴聯(lián)電，最終經(jīng)營的盈利還分成給聯(lián)電，是個兩岸合作雙贏的模式。關(guān)鍵是它們選擇利基型DRAM作為突破口。

那么什么是利基型DRAM？全球DRAM從應(yīng)用可分成五類，分別是標準型(PC等應(yīng)用)，服務(wù)器，行動式，繪圖用及利基型(消費類consumer)。2015年的DRAM市場中五類產(chǎn)品的占比分別為26%，22%，38%，6%及6%，并預(yù)測2016年分別為19%，24%，42%，6%及8%。表示利基型DRAM的市場己擴大30%。

由于利基型DRAM是客制化為主，屬于小眾市場(年總銷售額才約35億美元，而整個DRAM市場在350-400億美元)，采用相對成熟的制程。開初國內(nèi)業(yè)界對于選擇聯(lián)電作為DRAM的技術(shù)合作伙伴有些質(zhì)疑，也是可以理解的。

然而任何事應(yīng)該看它作什么？用最后的結(jié)果來回答。剛開始就貼上“標簽”，未必一定正確。據(jù)目前的判斷聯(lián)電在選擇利基型DRAM作為中國存儲器業(yè)的突破口可能是步好棋。

因為利基型DRAM主要用于液晶電視、數(shù)字機頂盒、播放機等消費型電子等相關(guān)產(chǎn)品中，多數(shù)是采用成熟制程。

利基型DRAM需求相當穩(wěn)定，很多都是客制化晶片，不屬于大眾規(guī)格產(chǎn)品，不像標準型DRAM會因為價格下跌使得容量倍增，影響利基型DRAM漲價的主要因素是以供給端為主。

目前全球最大的利基型DRAM供應(yīng)商為海力士，南亞科和華邦則是陸續(xù)轉(zhuǎn)戰(zhàn)此領(lǐng)域，此外還有IC設(shè)計公司晶豪科、鈺創(chuàng)、力積，IC測試廠泰林等。

晉華存儲器項目采用成熟制程的利基型DRAM。它避開先進工藝制程的激烈競爭，而依賴于終端應(yīng)用產(chǎn)品，與中國具有全球最大的應(yīng)用市場相匹配，所以未來的產(chǎn)品市場銷售相對可能易于控制。不足之處據(jù)傳是采用32納米制程啟步，以及技術(shù)上由聯(lián)電控制。

因此從項目的達成率分析，晉華項目相對的成熟度較高，而且中方省心，省事，只要解決資金供應(yīng)，以及未來產(chǎn)品的市場銷售問題。

該項目未來最大的擔憂是中方如何盡快的由學(xué)生地位轉(zhuǎn)變成老師。

自主研發(fā)

這是一條最為艱難之路，因為仔細思考目前除了有錢，技術(shù)與人材都不具備，再加上全球存儲器壟斷，西方處處堵截我們，因此中國只有狠下一條心，丟掉一切幻想，加強自主研發(fā)，為國家爭一口氣。

但是科學(xué)技術(shù)來不得半點虛假，必須遵循規(guī)律，因此需要人材，投入及時間。目前第一階段的目標是2018年，100，000片產(chǎn)能，量產(chǎn)32層3DNAND閃存。

擺在首位的肯定是技術(shù)上迅速的突破，新芯至少要過32層，多少納米制程尚不清楚。技術(shù)上能突破是新芯的立足之本。

中國存儲器業(yè)發(fā)展可能分成三步：第一步是盡快的研發(fā)成功，早日量產(chǎn)：第二步是提高制程技術(shù)，并迅速的降低成本；第三步在全球存儲器的下降周期時逆勢的擴充產(chǎn)能，縮小差距。

看似簡單的步驟，執(zhí)行起來經(jīng)常會受到各種干擾，因此貴在堅持。從此點上趙董事長有長處，西北漢子的性格，能勇往直前，迅速作出決斷。然而中國半導(dǎo)體業(yè)尚處在非完全市場經(jīng)濟階段，有許多非市場化的因素一定會導(dǎo)入，讓企業(yè)左右為難，但是最終一定要作出抉擇。

尤其是當企業(yè)出現(xiàn)虧損時，而且是連續(xù)數(shù)年之后，還要能說服自己，及股東能繼續(xù)的投資，需要鐵婉式的決斷。

近期魏少軍博士講，存儲器項目最困難的是項目啟動的三年之后。那時生產(chǎn)線己經(jīng)開通，關(guān)鍵要產(chǎn)出有競爭力的市場產(chǎn)品。否則盡管產(chǎn)品生產(chǎn)很多，庫存也很大，會帶來很大的資金壓力，這是一定會發(fā)生的事。

存儲器業(yè)的特征就是起伏大，價格下降快，不是處于全球的領(lǐng)先地位，面臨虧損的幾率是非常大。

中國存儲器業(yè)要取得成功，必須踏踏實實的進行研發(fā)，以及遇到虧損時要堅持，再堅持。但是這一切唯有通過研發(fā)的早日成功，才能扭轉(zhuǎn)被動的局面。

所以趙董事長的角色并不好當，既要符合產(chǎn)業(yè)發(fā)展的需要，又要為投資的股民謀福利，有時是個互相矛盾的事。

中國發(fā)展存儲器業(yè)是國策，是塊硬骨頭，目前己無退路，只有向前挺進?，F(xiàn)階段各種模式都可以嘗試一下，從目前的態(tài)勢肯定走自主研發(fā)道路的風(fēng)險要更大些，因此要集中國內(nèi)的最頂級人材，也可學(xué)習(xí)臺積電的“夜鶯部隊“方式，爭取更多的時間去努力攻克它，但是相信只有通過自主研發(fā)的成果才是屬于自己的。

另外合資發(fā)展的模式可能相對易行，兩岸合作實現(xiàn)雙贏是大勢所趨，它對于中國能早日產(chǎn)出存儲器芯片是有十分重要的意義。

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