2016年5月10日-推動高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ONSemiconductor，美國納斯達(dá)克上市代號：ON)，推出新系列絕緣柵雙極晶體管(IGBT)，采用公司專有的超場截止溝槽技術(shù)。NGTB40N120FL3WG、NGTB25N120FL3WG和NGTB40N120L3WG的設(shè)計旨在提升工作性能水平，以符合現(xiàn)代開關(guān)應(yīng)用的嚴(yán)格要求。這些1200伏特(V)器件能實現(xiàn)領(lǐng)先行業(yè)的總開關(guān)損耗(Ets)特點；顯著提升的性能部分歸因于極寬的高度觸發(fā)的場截止層及優(yōu)化的共同封裝二極管。

NGTB40N120FL3WG的Ets為2.7毫焦耳(mJ)，而NGTB25N120FL3WG的Ets為1.7mJ。兩款器件在各自額定電流下的VCEsat均為1.7V。NGTB40N120L3WG經(jīng)優(yōu)化提供低導(dǎo)通損耗，額定電流下的VCEsat為1.55V，Ets為3mJ。新的超場截止產(chǎn)品與一個具有軟關(guān)斷特性的快速恢復(fù)二極管共同封裝在一起，仍提供最小的反向恢復(fù)損耗。NGTB25N120FL3WG和NGTB40N120FL3WG非常適用于不間斷電源(UPS)和太陽能逆變器，而NGTB40N120L3WG主要針對電機驅(qū)動應(yīng)用。

安森美半導(dǎo)體功率分立器件分部高級總監(jiān)兼總經(jīng)理AsifJakwani說：“我們把新的超場截止IGBT配以優(yōu)化的快速恢復(fù)二極管達(dá)到最佳狀態(tài)，完美地平衡了VCEsat和Ets，從而降低開關(guān)損耗，并增強硬開關(guān)應(yīng)用在寬范圍開關(guān)頻率的電源能效。同時它還提供工程師期望從IGBT獲得的強固工作和高性價比。”

封裝和定價

NGTB40N120FL3WG、NGTB25N120FL3WG和NGTB40N120L3WG都采用符合RoHS的TO-247封裝，每10,000片批量的單價分別為2.02美元、1.76美元和2.12美元。

關(guān)于安森美半導(dǎo)體

安森美半導(dǎo)體(ONSemiconductor，美國納斯達(dá)克上市代號：ON)致力于推動高能效電子的創(chuàng)新，使客戶能夠減少全球的能源使用。安森美半導(dǎo)體領(lǐng)先于供應(yīng)基于半導(dǎo)體的方案，提供全面的高能效電源管理、模擬、傳感器邏輯、時序、互通互聯(lián)、分立、系統(tǒng)級芯片(SoC)及定制器件陣容。公司的產(chǎn)品幫助工程師解決他們在汽車、通信、計算機、消費電子、工業(yè)、醫(yī)療、航空及國防應(yīng)用的獨特設(shè)計挑戰(zhàn)。公司運營敏銳、可靠、世界一流的供應(yīng)鏈及品質(zhì)項目，一套強有力的守法和道德規(guī)范計劃，及在北美、歐洲和亞太地區(qū)之關(guān)鍵市場運營包括制造廠、銷售辦事處及設(shè)計中心在內(nèi)的業(yè)務(wù)網(wǎng)絡(luò)。

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