中微半導(dǎo)體設(shè)備有限公司（簡稱“中微”）宣布PrimoSSCAD-RIE™（中微單反應(yīng)臺等離子體刻蝕設(shè)備）已交付韓國領(lǐng)先的存儲器制造商。PrimoSSCAD-RIE™是中微公司目前最先進的介質(zhì)刻蝕設(shè)備，可用于1X納米關(guān)鍵刻蝕工藝芯片加工。在此之前，中微的PrimoSSCAD-RIE™已在南韓的16納米最關(guān)鍵的刻蝕步驟上實現(xiàn)大批量生產(chǎn)。這臺交付的設(shè)備將在客戶最先進工藝的3DVNAND試生產(chǎn)線上投入運行。

移動電子產(chǎn)品的飛速發(fā)展、以及大數(shù)據(jù)、社交傳媒的廣泛應(yīng)用，使得人們對存儲器的存儲容量和讀取速度提出了更高的要求。當(dāng)前一代的2DNAND工藝很快將無法滿足不斷升級的需求。3DVNAND代表了下一代前沿工藝，中微的客戶正是技術(shù)進步的領(lǐng)跑者。像存儲故障、光刻圖案技術(shù)的局限性等問題使在2DNAND工藝層面很難繼續(xù)向下一代工藝節(jié)點過渡，3DVNAND則能解決這一難題。3DVNAND帶來的好處還包括提高存儲容量和讀取速度，提升功率效能和可靠性，并降低生產(chǎn)成本。

“認(rèn)識到3DVNAND閃存技術(shù)是存儲工藝的未來，我們在研發(fā)上投入了大量的人力和物力，與客戶緊密合作，開發(fā)用于這種高端制程工藝所必需的刻蝕技術(shù)。”中微副總裁兼存儲及邏輯產(chǎn)品關(guān)鍵客戶大區(qū)總經(jīng)理KIYoon說道，“能夠在這家領(lǐng)先客戶的3DVNAND試生產(chǎn)線上占有一席之地是對我們長期努力的肯定。另外，在這個只有少數(shù)一線刻蝕設(shè)備供應(yīng)商高度競爭的領(lǐng)域，我們相信，我們的工藝質(zhì)量和面對嚴(yán)峻技術(shù)挑戰(zhàn)的快速反應(yīng)能力使我們贏得了訂單。我們很高興也很自豪，能夠為這一重要客戶開發(fā)這項工藝。”

PrimoSSCAD-RIE是采用高抽速，低壓，高能脈沖等離子體的手段為高深寬比刻蝕而開發(fā)的產(chǎn)品。這是中微Primo刻蝕產(chǎn)品家族中的最新一代產(chǎn)品。像中微其他所有刻蝕設(shè)備一樣，PrimoSSCAD-RIE具備先進的技術(shù)水平、超高的生產(chǎn)效率和較低的生產(chǎn)成本。

中微高管將參加下周（7月14日至16日）在美國舊金山舉辦的美國半導(dǎo)體設(shè)備和材料展覽會SEMICONWest。一年一度的SEMICONWest展會是全球半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)精英的重要盛會。

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