太陽(yáng)能投資年均370億美元 年需求增幅四年翻一倍

時(shí)間:2014-10-24

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導(dǎo)語(yǔ):因?yàn)樵谖蓓斢邢薜拿娣e下,客戶轉(zhuǎn)為重視高實(shí)際發(fā)電度數(shù),激勵(lì)高效晶硅電池需求,群集式的屋頂發(fā)電系統(tǒng)將逐漸超過(guò)大型地面發(fā)電站,2017年將是N型硅芯片產(chǎn)量超越傳統(tǒng)P型硅芯片的轉(zhuǎn)折點(diǎn)發(fā)生。

根據(jù)國(guó)際能源機(jī)構(gòu)(IEA)估計(jì),近年來(lái)太陽(yáng)能產(chǎn)業(yè)的年平均投資金額高達(dá)370億美元,約為核電80億美元的四倍半。太陽(yáng)能產(chǎn)業(yè)增長(zhǎng)快速,年需求增幅幾乎每四年翻一倍。

另外NPDSolarbuzz太陽(yáng)能技術(shù)路線報(bào)告顯示,薄膜及高效晶硅組件的供應(yīng)量將從2014年的5.3GW增長(zhǎng)至2018年的14.5GW。其中先進(jìn)的高效晶硅電池市占率將大幅攀升,預(yù)計(jì)2015年后市場(chǎng)規(guī)模將增長(zhǎng)200%,到2018年可望上看7.6GW。因?yàn)樵谖蓓斢邢薜拿娣e下,客戶轉(zhuǎn)為重視高實(shí)際發(fā)電度數(shù),激勵(lì)高效晶硅電池需求,群集式的屋頂發(fā)電系統(tǒng)將逐漸超過(guò)大型地面發(fā)電站,2017年將是N型硅芯片產(chǎn)量超越傳統(tǒng)P型硅芯片的轉(zhuǎn)折點(diǎn)發(fā)生。

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