節(jié)能核心技術(shù)獲國家扶持 功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)黃金期

時(shí)間:2014-01-13

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導(dǎo)語:政策扶持的重點(diǎn)將主要集中于集成電路的設(shè)計(jì)和制造方面,尤其是本土自主核心產(chǎn)業(yè)龍頭企業(yè),功率半導(dǎo)體將迎來重要戰(zhàn)略機(jī)遇期和黃金發(fā)展期。功率半導(dǎo)體是節(jié)能減排的關(guān)鍵技術(shù)和基礎(chǔ)技術(shù),被大量應(yīng)用于消費(fèi)類電子、新能源汽車、光伏發(fā)電、風(fēng)電、工業(yè)控制和國防裝備。

目前正在進(jìn)行部際協(xié)調(diào)。政策扶持的重點(diǎn)將主要集中于集成電路的設(shè)計(jì)和制造方面,尤其是本土自主核心產(chǎn)業(yè)龍頭企業(yè),功率半導(dǎo)體將迎來重要戰(zhàn)略機(jī)遇期和黃金發(fā)展期。功率半導(dǎo)體是節(jié)能減排的關(guān)鍵技術(shù)和基礎(chǔ)技術(shù),被大量應(yīng)用于消費(fèi)類電子、新能源汽車、光伏發(fā)電、風(fēng)電、工業(yè)控制和國防裝備。2013年以來我國大部分地區(qū)霧霾天氣頻發(fā),在這種背景下,大規(guī)模使用功率半導(dǎo)體來提高能源效率、促進(jìn)節(jié)能減排,也成為半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展的重要方向。

半導(dǎo)體功率器件的產(chǎn)品門類非常廣,主要包括功率MOS晶體管(PowerMOSFET)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)、快恢復(fù)二極管(FRD),以及尚未得到大規(guī)模應(yīng)用的采用SiC和GaN的新一代功率半導(dǎo)體。未來7年間,全球功率半導(dǎo)體銷售額的復(fù)合增長(zhǎng)率三倍于整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)3%的營(yíng)收增速。從國內(nèi)的情況來看,隨著全球空調(diào)、節(jié)能電機(jī)等電子產(chǎn)品產(chǎn)能向國內(nèi)轉(zhuǎn)移,功率半導(dǎo)體的需求也成倍的增加,僅IGBT產(chǎn)品的需求規(guī)模已經(jīng)超過100億元,并且國內(nèi)已經(jīng)出現(xiàn)格力電器等消費(fèi)IGBT模塊超過10億元的企業(yè),我國已成為全球最大的功率半導(dǎo)體器件消費(fèi)市場(chǎng)。

IGBT器件仍然嚴(yán)重依賴于國外公司,國產(chǎn)產(chǎn)品市場(chǎng)占有率不足10%。面對(duì)這種狀況,國內(nèi)半導(dǎo)體企業(yè)關(guān)于IGBT的項(xiàng)目紛紛獲得政府補(bǔ)助,去年12月2日、23日,臺(tái)基股份的IGBT產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目連續(xù)獲得專項(xiàng)資金扶持,12月31日,士蘭微公告其“高壓IGBT芯片工藝技術(shù)開發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”項(xiàng)目獲得國家專項(xiàng)資金扶持。

士蘭微在國家科技重大專項(xiàng)(研發(fā)多芯片功率模塊)的支持下,已成功地完成了高壓MOSFET、600V-1200VIGBT、FRD、600V-1200V高壓驅(qū)動(dòng)集成電路、功率模塊等新技術(shù)新產(chǎn)品的研發(fā),相關(guān)的產(chǎn)品已陸續(xù)開始投入市場(chǎng),展現(xiàn)了很好的市場(chǎng)前景。

科陸電子作為智能電表行業(yè)的龍頭企業(yè),積極拓展智能電網(wǎng)、節(jié)能減排和新能源等多個(gè)領(lǐng)域,已經(jīng)成為節(jié)能減排領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè),也是發(fā)改委重點(diǎn)扶持的IGBT應(yīng)用的重點(diǎn)探索企業(yè)。公司在2011年獲得科技部的專項(xiàng)資金用于碳化硅及硅基IGBT多芯片串聯(lián)模塊研發(fā)和測(cè)試平臺(tái)的建立。

華微電子自主研發(fā)的IGBT產(chǎn)品以及改進(jìn)后的可控硅產(chǎn)品,也取得了一定程度的市場(chǎng)進(jìn)展,開發(fā)出一些較大應(yīng)用客戶群。此外,第三代MOSFET產(chǎn)品和TRENCH工藝平臺(tái),在市場(chǎng)上得到了較高的認(rèn)可度。

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