未來推動IGBT市場增長的最主要領(lǐng)域是變頻器、變頻家電、軌道交通產(chǎn)業(yè)、太陽能及風(fēng)能可再生能源、混合動力車和純電動車。出汽車外的市場都集中在中國。
目前國內(nèi)基本都是只能做到封裝IGBT管，完全自主生產(chǎn)我沒有看到，雖然南車說自己有8英寸線，但未聽說正式投產(chǎn)。
IGBT是RCA公司和GE公司在1982年提出并于1986年開始正式生產(chǎn)并逐漸系列化的器件，是繼雙極晶體管（GTR）和MOSFET后的第三代功率半導(dǎo)體分立器件，其綜合GTR和MOSFET的優(yōu)點，具有易于驅(qū)動、峰值電流容量大、自關(guān)斷、開關(guān)頻率高的特點，廣泛應(yīng)用于小體積、高效率的變頻電源、電機調(diào)速、UPS以及逆變焊機當(dāng)中，是目前發(fā)展最為迅速的新一代功率器件。
IGBT已經(jīng)是非常成熟的產(chǎn)品，目前在中高電壓領(lǐng)域的市場規(guī)模達16億美元。未來IGBT有向縮小電壓范圍發(fā)展的趨勢，以滿足電視機、計算機適配器和照相機等消費類目標應(yīng)用需求，從而搶占更多市場。與此同時，在上述應(yīng)用中的SJMOSFET可提供更快的開關(guān)頻率和具有競爭力的價格，2012年年底，SJMOSFET市場規(guī)模將達5.67億美元。
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