技術(shù)頻道

納米級(jí)晶體硅粉末

本發(fā)明提供了BET表面積為20—150m︿2／g的聚集的晶體硅粉末。它是通過(guò)如下步驟制得的：使至少一種蒸氣的...[查看詳情]

標(biāo)簽：格式：rar下載次數(shù)：483大?。?5.25KB發(fā)布時(shí)間：2009-04-26

晶體硅太陽(yáng)能電池產(chǎn)業(yè)化及應(yīng)用產(chǎn)品開(kāi)發(fā)

西安交通大學(xué)太陽(yáng)能研究所研制的太陽(yáng)能照明燈系列技術(shù)有：太陽(yáng)能照明燈設(shè)計(jì)技術(shù)、太陽(yáng)能照明燈過(guò)放控制...[查看詳情]

標(biāo)簽：格式：rar下載次數(shù)：588大小：40.18KB發(fā)布時(shí)間：2009-04-26

納米晶體硅量子點(diǎn)薄膜的制備及表征

利用激光燒蝕沉積法在n-Si（100）襯底上制備非晶硅（α-Si）薄膜，再經(jīng)過(guò)高溫退火技術(shù)處理使α-Si晶化成...[查看詳情]

標(biāo)簽：格式：rar下載次數(shù)：568大?。?15.79KB發(fā)布時(shí)間：2009-04-26

基于數(shù)字圖像處理的晶體硅顆粒形態(tài)分析算法

顆粒形態(tài)分析是準(zhǔn)確進(jìn)行顆粒識(shí)別的基礎(chǔ)．本文利用圖像處理技術(shù)統(tǒng)計(jì)顆粒數(shù)目，標(biāo)注顆粒質(zhì)心，計(jì)算了顆粒...[查看詳情]

標(biāo)簽：格式：rar下載次數(shù)：555大小：160.17KB發(fā)布時(shí)間：2009-04-26

高純多晶硅及晶體硅光伏電池硅片

2003年以來(lái)，我國(guó)光伏產(chǎn)業(yè)的生產(chǎn)能力飛速增長(zhǎng)。到2006年底，晶體硅光伏電池用硅片的生產(chǎn)能力已超過(guò)500MW...[查看詳情]

標(biāo)簽：格式：rar下載次數(shù)：492大?。?69.67KB發(fā)布時(shí)間：2009-04-26

工業(yè)化薄晶體硅太陽(yáng)電池背電極漿料

通過(guò)調(diào)整背電極漿料和電池基片厚度，探索了減少太陽(yáng)電池彎曲度的途徑。[查看詳情]

標(biāo)簽：格式：rar下載次數(shù)：469大小：150.04KB發(fā)布時(shí)間：2009-04-26

納米硅／晶體硅異質(zhì)結(jié)電池的暗I-V特性和輸運(yùn)機(jī)制

采用HWCVD技術(shù)在P型CZ晶體硅襯底上制備了納米硅／晶體硅異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)電池，測(cè)量了晶體硅表面在不同氫處理...[查看詳情]

標(biāo)簽：格式：rar下載次數(shù)：495大小：247.95KB發(fā)布時(shí)間：2009-04-26

AFORS—HET軟件模擬N型非晶硅／p型晶體硅異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)電池

運(yùn)用AFORS-HET程序模擬計(jì)算了不同本征層厚度、能隙寬度、發(fā)射層厚度、能帶失配以及不同界面態(tài)密度等參數(shù)...[查看詳情]

標(biāo)簽：格式：rar下載次數(shù)：545大?。?18.39KB發(fā)布時(shí)間：2009-04-26

外延晶體硅薄膜電池的EBIC與SR-LBIC特性分析

電子束誘導(dǎo)電流（EBIC:Electron Beam Induced Current）是研究晶體缺陷（如晶界、位錯(cuò)、沉淀等）復(fù)合特...[查看詳情]

標(biāo)簽：格式：rar下載次數(shù)：568大?。?26.74KB發(fā)布時(shí)間：2009-04-26

低成本襯底上快熱CVD法制備晶體硅薄膜電池

以RTCVD方法在低成本襯底——顆粒硅帶（SSP）上制備了外延晶體硅薄膜電池.在20×20mm2上得到的最高轉(zhuǎn)換...[查看詳情]

標(biāo)簽：格式：rar下載次數(shù)：546大小：196.70KB發(fā)布時(shí)間：2009-04-26