非晶硅薄膜太陽(yáng)能電池是一種以非晶硅化合物為基本組成的薄膜太陽(yáng)能電池。按照材料的不同，當(dāng)前硅太陽(yáng)能電池可分為三類(lèi)：?jiǎn)尉Ч杼?yáng)能電池、多晶硅薄膜太陽(yáng)能電池和非晶硅薄膜太陽(yáng)能電池三種。

　　非晶硅薄膜太陽(yáng)能電池的技術(shù)優(yōu)勢(shì)

　　1、生產(chǎn)成本低：由于反應(yīng)溫度低，可在200℃左右的溫度下制造，因此可以在玻璃、不銹鋼板、陶瓷板、柔性塑料片上淀積薄膜，易于大面積化生產(chǎn)，成本較低。單節(jié)非晶硅薄膜太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)成本目前可降到1.2美元/Wp。疊層非晶硅薄膜電池的成本可降至1美元/Wp以下。

　　2、能量返回期短：轉(zhuǎn)換效率為6%的非晶硅太陽(yáng)能電池，其生產(chǎn)用電約1.9度電/瓦，由它發(fā)電后返回上述能量的時(shí)間僅為1.5-2年。 [1]

　　3、適于大批量生產(chǎn)：非晶硅材料是由氣相淀積形成的，目前已被普遍采用的方法是等離子增強(qiáng)型化學(xué)氣相淀積(PECVD)法。此種制作工藝可以連續(xù)在多個(gè)真空淀積室完成，從而實(shí)現(xiàn)大批量生產(chǎn)。采用玻璃基板的非晶硅太陽(yáng)能電池，其主要工序(PECVD)與TFT-LCD陣列生產(chǎn)相似，生產(chǎn)方式均具有自動(dòng)化程度高、生產(chǎn)效率高的特點(diǎn)。

　　在制造方法方面有電子回旋共振法、光化學(xué)氣相沉積法、直流輝光放電法、射頻輝光放電法、濺謝法和熱絲法等。特別是射頻輝光放電法由于其低溫過(guò)程(～200℃)，易于實(shí)現(xiàn)大面積和大批量連續(xù)生產(chǎn)，現(xiàn)成為國(guó)際公認(rèn)的成熟技術(shù)。

　　4、高溫性能好：當(dāng)太陽(yáng)能電池工作溫度高于標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試溫度25℃時(shí)，其最佳輸出功率會(huì)有所下降;非晶硅太陽(yáng)能電池受溫度的影響比晶體硅太陽(yáng)能電池要小得多。

　　5、弱光響應(yīng)好，充電效率高：非晶硅材料的吸收系數(shù)在整個(gè)可見(jiàn)光范圍內(nèi)，在實(shí)際使用中對(duì)低光強(qiáng)光有較好的適應(yīng)。

　　上述獨(dú)特的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，令薄膜硅電池在民用領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景，如光伏建筑一體化、大規(guī)模低成本發(fā)電站、太陽(yáng)能照明光源。由于非晶硅薄膜電池的良好前景，包括Sharp、Q-Cells、無(wú)錫尚德等在內(nèi)的諸多企業(yè)正大規(guī)模進(jìn)入非晶硅薄膜太陽(yáng)能電池領(lǐng)域，整個(gè)行業(yè)的統(tǒng)計(jì)數(shù)字不斷翻新。