接地反彈（Groundbounce）簡稱地彈會產生幅度為幾伏的瞬態(tài)電壓；最常見的是由磁通量變化引起的。傳輸電流的導線環(huán)路實際上構成了一個磁場，其磁場強度與電流成正比。磁通量與穿過環(huán)路面積和磁場強度乘積成正比。

磁通量∝磁場強度×環(huán)路面積

更精確的表示是，ΦB=BAcosφ

其中磁通量ΦB等于磁場強度B乘以穿過環(huán)路平面A和磁場方向與環(huán)路平面單位矢量夾角φ的余弦。

圖1示出了磁通量與電流之間的關系。一個電壓源驅動電流克服電阻沿導線環(huán)路流動。電流與環(huán)繞導線的磁通量相關聯(lián)。為了將不同的物理量聯(lián)系起來，可以考慮用你的右手握住導線（應用右手定則）。如果你的拇指指向電流的方向，那么你的其它手指將沿磁場磁力線方向環(huán)繞導線。因為那些磁力線穿過環(huán)路，所以形成了磁通量，在本例中磁通量方向為穿入頁面。

改變磁場強度或環(huán)路面積都會引起磁通量變化。當磁通量變化時，在導線中產生與磁通量變化率dΦB/dt成正比的電壓。應該注意的是，當環(huán)路面積固定，電流變化；或者電流恒定，環(huán)路面積變化；或者兩種情況同時變化——都會改變磁通量。

例如，假設圖2中的開關突然斷開。當電流停止流動時，磁通量消失，這會沿導線各處產生一個瞬態(tài)大電壓。如果導線的一部分是一個接地返回引腳，那么以地電平為參考端的電壓會產生一個尖峰，從而在任何使用該引腳為接地參考端的電路中都會產生錯誤信號。

通常，PCB印制線電阻上的電壓降不是接地反彈的主要來源。1盎司（oz）銅的電阻為500微歐/方數(shù)（μΩ/□），因此1A電流變化只能產生500μV/□的反彈電壓——問題只存在于采用細長印制線或菊花鏈式接地或精密電子電路。

寄生電容器的充電和放電為瞬態(tài)大電流返回到地提供了一條路徑。由于電流變化引起的磁通量變化也引起接地反彈。

在DC/DC開關電源中減少接地反彈的最好方法就是控制磁通量變化——使電流環(huán)路面積和環(huán)路面積變化最小。

在某些情況下，例如圖3所示，電流保持恒定，而開關切換引起環(huán)路面積變化，因此產生磁通量的變化。在開關狀態(tài)1中，一個理想的電壓源通過理想導線與一個理想電流源相連。電流在一個包含接地回路的環(huán)路中流動。

在開關狀態(tài)2中，當開關改變位置時，同樣的電流在不同的路徑中流動。電流源為直流（DC），且并沒有變化，但環(huán)路面子發(fā)生了變化。環(huán)路面積的變化意味著磁通量的變化，所以產生了電壓。因為接地回路為變化環(huán)路的一部分，所以它會產生反彈電壓。

降壓型變換器的接地反彈

為了討論方便，將圖3中的簡單電路變換成與其類似的電路——圖4中的降壓型變換器。

圖5示出當開關在兩個位置之間交替切換時磁通量如何變化。

大電感器LBUCK使輸出電流大約保持恒定。類似地，大電容器CVIN保持電壓大約等于VIN。由于輸入引線電感兩端的電壓不變，所以輸入電流也大約保持恒定。

盡管輸入電流和輸出電流基本不變，但當開關從位置1切換到位置2時，總環(huán)路面積會迅速變?yōu)樵瓉淼囊话?。環(huán)路面積的變化意味著磁通量的快速變化，從而沿著接地回路引起接地反彈。

實際上，降壓型變換器由一對半導體開關構成，如圖6所示。

雖然每個圖中的復雜程度增加，但是通過磁通量變化引起接地反彈的分析方法仍然很簡單和直觀。

事實上，磁通量的變化會沿著接地回路各處都產生電壓，這就帶來了一個有趣的問題：哪里是真正的地？因為接地反彈意味著，相對于稱作地的某個理想點（那一點需要定義），在接地返回印制線上產生一個反彈電壓。

在電源穩(wěn)壓器電路中，真實的地應該連接在負載的低壓端。畢竟，DC/DC變換器的目的是為負載提供穩(wěn)定的電壓和電流。電流回路上的其它所有點都不是真正的地，只是接地回路的一部份。

由于在負載的低壓端接地并且環(huán)路面積的變化是接地反彈的原因，圖7顯示了如何精心地放置CVIN通過減小環(huán)路面積變化的比率降低接地反彈。

電容器CVIN旁路PCB頂層的高端開關直接到達底層低端開關兩端，因此減小了環(huán)路面積的變化，將其與接地回路隔離。當開關從一種狀態(tài)切換到另一種狀態(tài)時，從VIN的底部到負載的底部，無環(huán)路面積變化或開關電流變化。因此接地回路沒有發(fā)生反彈。

實際上，PCB布線本身決定了電路的性能。圖8為圖6中降壓型變換器電路原理圖的PCB布線圖。當開關處于狀態(tài)1所示的位置，高端開關閉合，DC電流沿著外圈紅色環(huán)路流動。當開關處于狀態(tài)2所示的位置，低端開關閉合，DC電流沿著藍色環(huán)路流動。注意由于環(huán)路面積變化引起磁通量變化。因此產生電壓和接地反彈。

為了清晰起見，在單層PCB上實現(xiàn)布線，但即使使用第二層整塊接地平面也無法解決接地反彈問題。在展示改進布線圖之前，圖9給出了一個簡單例子說明地平面無法解決問題。

這里，我們采用雙層PCB以便在與頂層電源線垂直處附加一個旁路電容。在左邊的例子中，地平面是整體的并且未切割。頂層印制線電流通過電容器流過，穿過過孔，到達地平面。

因為交流(AC)電總是沿著最小阻抗路徑流動，接地返回電流繞著其路徑拐角返回電源。所以當電流的幅度或頻率發(fā)生變化時，電流的磁場及其環(huán)路面積發(fā)生變化，從而改變磁通量。電流沿最小阻抗路徑流動的規(guī)律意味著，即使采用整體地平面也會發(fā)生接地反彈——與其導通性無關。

在右邊的例子中，一個經過合理規(guī)劃切割的地平面會限制返回電流以使環(huán)路面積最小，從而大大減小接地反彈。在切割返回線路內產生的任何剩余接地反彈電壓與通用地平面隔離。

圖10中的PCB布線利用圖9中示出的原理減小了接地反彈。采用雙層PCB板以便將輸入電容器和兩個開關安排在地平面的孤島上。

這種布線不必最好，但它工作很好，而且能夠說明關鍵問題。應該注意紅色電流（狀態(tài)1）和藍色電流（狀態(tài)2）包圍的環(huán)路面積很大，但兩個環(huán)路面積之差很小。環(huán)路面積變換很小意味著磁通量的變化小——即接地反彈小。（然而，一般情況下，也要保證環(huán)路面積小——圖10只是為了說明AC電流路徑匹配的重要性。）

另外，在磁場和環(huán)路面積發(fā)生變化的接地回路孤島內，沿著任何接地回路引起的接地反彈都受接地切割限制。

此外，可能第一眼看上去，輸入電容器CVIN好像沒有位于圖7中所示的頂層高端開關和低層低端開關之間，但進一步觀察才會發(fā)現(xiàn)是這樣。盡管物理鄰近可以很好，但真正起作用的是通過最小化環(huán)路面積實現(xiàn)的電子接近。