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CDE無感吸收電容器的應用

時間:2008-04-10 09:20:00來源:yangliu

導語:?高頻高壓無感吸收電容器
摘 要:簡要討論了IGBT模塊緩沖電路的有關問題,并介紹了美國CDE電容模塊在緩沖電路中的應用。 關鍵詞:IGBT 緩沖電路 電容模塊 Application of Capacitor Modules of American CDE Co.in Snubber Circuit Abstract: Briefly discuss about IGBT modules in snubber circuit and introduce application of capacitor modules of American CDE Co. in snubber circuit Key words: IGBT Snubber Circuit Capacitor Modules 1 引 言 眾所周知,在電力電子功率器件的應用電路中,無一例外地都要設置緩沖電路,即吸收電路。一些初次應用全控型器件的讀者或許有這樣的感受:器件莫名其妙損壞。雖然原因頗多,但緩沖電路和緩沖電容選擇不當是不可忽略的重要原因。 2 緩沖原理 器件損壞,不外乎是器件在開關過程中遭受了過量di/dt、dv/dt或瞬時功耗的危害而造成的。緩沖電路的作用,就是改變器件的開關軌跡,控制各種瞬態(tài)過電壓,降低器件開關損耗,保護器件安全運行。 [align=center] [/align] 圖1所示為GTR驅(qū)動感性負載時的開關波形。不難看出,在開通和關斷過程中的某一時刻,GTR集電極電壓uc 和集電極電流 ic 將同時達到最大值,因而瞬時功耗也最大。加入緩沖電路,可將開關功耗轉(zhuǎn)移到相關電阻上消耗掉,達到了保證器件安全運行的目的。 典型復合式緩沖電路如圖2。當GTR 關斷時,負載電流經(jīng)緩沖二極管D向緩沖電容C充電,同時集電極電流 ic逐漸減少。由于電容C兩端電壓不能突變,所以有效地限制了GTR集電極電壓上升率dv/dt,也避免了集電極電壓uc 和集電極電流 ic 同時達到最大值。GTR集電極母線電感以及緩沖電路及其元件內(nèi)部的雜散電感,在GTR開通時儲存的能量1/2 LI2,這時轉(zhuǎn)換成1/2 CV2儲存在緩沖電容C中。當GTR 開通時,集電極母線電感以及其他雜散電感,又有效地限制了GTR集電極電流上升率di/dt,同樣也避免了集電極電壓uc 和集電極電流 ic 同時達到最大值。此時,緩沖電容C通過外接電阻R和GTR開關放電,其儲存的開關能量也隨之在外接電阻和電路、元件內(nèi)部電阻上消耗掉。如此,便將GTR運行時產(chǎn)生的開關損耗,轉(zhuǎn)移到緩沖電路,最后在相關電阻上以熱的形式消耗掉,從而保護了GTR安全運行。 [align=center] 圖3 GTR電流、電壓關斷波形[/align] 緩沖電容C容量不同,其緩沖效果也不相同。圖3畫出了不同容量下GTR電流、電壓關斷波形。圖3(a)為無緩沖電容時的波形,圖3(b)為緩沖電容C 容量較小時的波形,圖3(c)為緩沖電容C 容量較大時的波形。不難看出,無緩沖電容時,集電極電壓上升時間極短,致使電流、電壓同時達到最大,因而瞬時功耗最大。緩沖電容C 容量較小時,集電極電流下降至零之前,其電壓已上升至電源值,瞬時功耗較大。緩沖電容C 容量較大時,集電極電流下降至零之后,其電壓才上升至電源值。瞬時功耗較小。 [align=center] 圖4 通用的三種IGBT緩沖電路 [/align] 3 IGBT緩沖電路 通用的IGBT緩沖電路有三種形式,如圖4 。圖4(a)為單只低電感吸收電容構(gòu)成的緩沖電路,適用于小功率IGBT模塊,用作對瞬變電壓有效而低成本的控制,接在C1和E2之間(兩單元模塊)或P和N之間(六單元模塊)。圖4(b)為RCD構(gòu)成的緩沖電路,適用于較大功率IGBT模塊,緩沖二極管D可箝住瞬變電壓,從而能抑制由于母線寄生電感可能引起的寄生振蕩。其RC時間常數(shù)應設計為開關周期的1/3,即τ=T/3=1/3f 。圖4(c)為P型RCD和N型RCD構(gòu)成的緩沖電路,適用于大功率IGBT模塊,功能類似于圖4(b)緩沖電路,其回路電感更小。若同時配合使用圖4(a)緩沖電路,還能減小緩沖二極管的應力,使緩沖效果更好。 [align=center] 圖5 采用緩沖電路后IGBT關斷電壓波形 [/align] IGBT采用緩沖電路后典型關斷電壓波形如圖5 。圖中,VCE起始部分的毛刺ΔV1是由緩沖電路的寄生電感和緩沖二極管的恢復過程引起的。其值由下式計算: ΔV1=LS×di/dt (式1) 式中LS為緩沖電路的寄生電感,di/dt為關斷瞬間或二極管恢復瞬間的電流上升率,其最惡劣的值接近0.02 ic (A/ns)。 如果ΔV1已被設定,則可由(式1)確定緩沖電路允許的最大電感量。例如,設某IGBT電路工作電流峰值為400A,ΔV1≤100V,則在最惡劣情況下, di/dt=0.02×400=8(A/ns) 由(式1)得 LS=ΔV1 /(di/dt)=100/8=12.5(nH) 圖中ΔV2是隨著緩沖電容的充電,瞬態(tài)電壓再次上升的峰值,它與緩沖電容的值和母線寄生電感有關,可用能量守恒定律求值。如前所述,母線電感以及緩沖電路及其元件內(nèi)部的雜散電感,在IGBT開通時儲存的能量要轉(zhuǎn)儲在緩沖電容中,因此有 1/2LPi2=1/2CΔV22 (式2) 式中,LP為母線寄生電感, i為工作電流, C為緩沖電容的值, ΔV2為緩沖電壓的峰值。 同樣,如果ΔV2已被設定,則可由(式2)確定緩沖電容的值。
從(式1)和(式2)不難看出,大功率IGBT電路要求母線電感以及緩沖電路及其元件內(nèi)部的雜散電感愈小愈好。這不僅可以降低ΔV1,而且可以減小緩沖電容C的值,從而降低成本。 表1針對不同直流母線電感量,列出緩沖電容的推薦值。該表是設定ΔV2≤100V時由(式2)計算得出的。 還有一種經(jīng)驗估算的辦法,通常以每100A集電極電流約取1μF緩沖電容值。這樣得到的值,對于很好的控制瞬態(tài)電壓是充分的。 4 美CDE電容模塊在緩沖電路中的應用 從第3節(jié)的討論得知,母線電感以及緩沖電路及其元件內(nèi)部的雜散電感,對IGBT電路尤其是大功率IGBT電路,有極大的影響。因此,希望它愈小愈好。要減小這些電感,需從多方面入手。 第一,直流母線要盡量地短; 第二,緩沖電路要盡可能地貼近模塊; 第三,選用低電感的聚丙烯無極電容,與IGBT相匹配的快速緩沖二極管,以及無感泄放電阻 ; 第四,其它有效措施。 目前,緩沖電路的制作工藝也有多種方式:有用分離件連接的;有通過印制版連接的;更有用緩沖電容模塊直接安裝在IGBT模塊上的。顯然,最后一種方式因符合上述第二、第三種降感措施,因而緩沖效果最好,能最大限度地保護IGBT安全運行。 美CDE是一家老牌跨國公司,其電容產(chǎn)品因品質(zhì)優(yōu)越為美國家宇航局選用,隨航天器而播譽太空。CDE公司的緩沖電容模塊就能充分滿足IGBT電路尤其是大功率IGBT電路對緩沖電路的要求。CDE公司的緩沖電容模塊有SCT、SCM和SCC三型,其選型參數(shù)見表2。
1)SCT型電容模塊為一單元緩沖電容封裝,構(gòu)成圖4(a)緩沖電路。適用于中、小電流容量的IGBT模塊,以吸收高反峰瞬變電壓。容量0.22μF-4.7μF,直流電壓600V、1000V、1200V、1600V、2000V五檔。其特點是,低介質(zhì)損耗,低電感(<20 nH),有自修復能力,防火樹脂封裝,直接安裝在IGBT模塊上。 2)SCM型電容模塊為一單元緩沖電容與緩沖二極管封裝,與外接電阻構(gòu)成圖4(b)緩沖電路。適用于中、小電流容量的IGBT模塊。根據(jù)緩沖電容位置的不同,有P型和N型之分:電容模塊中緩沖電容與P母線相連的稱P型,與N母線相連的稱N型。N型電容模塊適合于一或兩單元IGBT模塊。若用兩個一單元IGBT模塊串聯(lián)并采用圖4(c)緩沖電路,則P型并接P母線端IGBT模塊,而N型并接N母線端 IGBT模塊。容量范圍0.47μF-2.0μF,直流電壓600V、1200V兩檔。其特點是,低介質(zhì)損耗,低電感量,緩沖電容與快恢二極管一體封裝,有導線與外接電阻相連,防火樹脂封裝,直接安裝在IGBT模塊上。 3)SCC型電容模塊為兩單元緩沖電容與緩沖二極管封裝,與外接電阻構(gòu)成圖4(c)緩沖電路。適用于大電流容量的兩單元IGBT模塊。容量0.47μF-2.0μF,直流電壓600V、1200V兩檔。其特點是,低介質(zhì)損耗,低電感量,高峰值電流,緩沖電容與超快恢二極管一體封裝,有導線與外接電阻相連,防火樹脂封裝,直接安裝在IGBT模塊上。 5 結(jié) 語 以上簡單地討論和介紹 ,其目的是想引起讀者對緩沖電路和緩沖電容選擇問題的充分重視。在可能的情況下,最好選用適當?shù)碾娙菽K構(gòu)成適當?shù)木彌_電路,并直接安裝在IGBT模塊上。這樣,莫名其妙損壞IGBT模塊的機率,也許會小得多。 詳情請參閱相關網(wǎng)http://www.capacitor.net.cn 參考文獻: [1] 張立等.現(xiàn)代電力電子技術(shù).北京:科學出版社,1995. [2] 三菱電機公司.第三代IGBT和智能功率模塊應用手冊.培訓教材,1998. [3] 美CDE公司.電容產(chǎn)品數(shù)據(jù)手冊5.001-5.006.產(chǎn)品樣本.1999. 作者簡介: 舒正國 男,1943年生,高工,從事電力電子功率器件應用、推廣及技術(shù)支持工作。 羅運強 男,1963年生,理工學碩士,高級工程師,現(xiàn)任同牧機電董事長兼總經(jīng)理。

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