產(chǎn)品頻道

2008 年 11 月 20 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）推出一款新型 20V n 通道器件 ——- SiR440DP，擴展了其第三代 TrenchFET® 功率 MOSFET 系列。該器件采用 PowerPAK® SO-8 封裝，在 20V 額定電壓時具有業(yè)界最低導通電阻及導通電阻與柵極電荷乘積。 SiR440DP 在 4.5V 柵極驅動時最大導通電阻為 2.0mΩ，在 10V 柵極驅動時最大導通電阻為 1.55mΩ。導通電阻與柵極電荷乘積是直流到直流轉換器應用中MOSFET 的關鍵優(yōu)值 （FOM），在 4.5V 時為 87。 與為實現(xiàn)低傳導損耗及低切換損耗而優(yōu)化的最接近的同類競爭器件相比，這些規(guī)格表示在 4.5V 及 10V 時導通電阻分別降低 23% 與 22.5%，F(xiàn)OM 降低 27%。更低的導通電阻及柵極電荷意味著更低的傳導損耗及切換損耗。 Vishay Siliconix SiR440DP 將在同步降壓轉換器以及二級同步整流及 OR-ing 應用中用作低端 MOSFET。其低傳導及切換損耗將確保穩(wěn)壓器模塊 （VRM）、服務器及使用負載點 （POL） 功率轉換的諸多系統(tǒng)實現(xiàn)功效更高且更節(jié)省空間的設計。 Vishay還推出了新型 20V SiR866DP 和 SiR890DP n 通道功率 MOSFET。這些器件在 4.5V 時分別提供 2.5mΩ 與 4mΩ 的導通電阻，在 10V 時為 1.9mΩ 及 2.9mΩ，典型柵極電荷為 35.3nC 及 20nC。所有這三款新型功率 MOSFET 均采用 PowerPAK SO-8 封裝。這些器件無鉛 （Pb），無鹵素，并且符合 RoHS 標準，因此符合有關消除有害物質的國際法規(guī)要求。 目前，SiR440DP、SiR866DP 和 SiR890DP可提供樣品，并已實現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂單的供貨周期為 10 至 12 周。 VISHAY SILICONIX簡介 Vishay Siliconix 是現(xiàn)今世界上排名第一的低壓功率MOSFET和用于在計算機、蜂窩電話和通信基礎設備的管理和功率轉換以及控制計算機磁盤驅動和汽車系統(tǒng)的固態(tài)開關的供應商。Vishay Siliconix的硅技術和封裝產(chǎn)品的里程碑，包括在業(yè)內建成第一個基于槽硅工藝（TrenchFET®）的功率型MOSFET和業(yè)內第一個小型的表面貼裝的功率型MOSFET（LITTLE FOOT®）。 創(chuàng)新的傳統(tǒng)不斷的衍生出新的硅技術，例如被設計用來在直流電到直流電的轉換和負荷切換的應用中最佳化功率MOSFET的性能的硅技術，以及可以滿足客戶需求的更佳熱性能（PowerPAK®） 和更小空間（ChipFET®，MICRO FOOT®）新的封裝選擇。 除了功率MOSFET外，Vishay Siliconix的產(chǎn)品還包括功率集成電路和業(yè)界最杰出的模擬交換和多路復用器的線路。Vishay Siliconix功率集成電路的發(fā)展不僅專注于應用在蜂窩電話、筆記本計算機、和固定電信基礎設備的功率轉換元件，而且也同樣關注低電壓、約束空間的新型模擬開關集成電路。 Siliconix創(chuàng)建于1962年，在1996年Vishay購買了其80.4%的股份使其成為Vishay子公司。 VISHAY簡介 Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市（VSH）的“財富 1,000 強企業(yè)”，是全球分立半導體（二極管、整流器、晶體管、光電器件及某些精選 IC）和無源電子元件（電阻器、電容器、電感器、傳感器及轉換器）的最大制造商之一，這些元件可用于工業(yè)、計算、汽車、消費、電信、軍事、航空航天及醫(yī)療市場的各種類型的電子設備。憑借產(chǎn)品創(chuàng)新、成功的收購戰(zhàn)略，以及提供“一站式”服務的能力使 Vishay 成為了全球業(yè)界領先者。 有關 Vishay 的詳細信息，可以訪問 Internet 網(wǎng)站 www.vishay.com。