產(chǎn)品介紹
編者按:英飛凌科技700MHz RF功率晶體問(wèn)世,新型700MHz射頻功率晶體能協(xié)助建構(gòu)基礎(chǔ)設(shè)施,以支援新一代消費(fèi)性電子裝置對(duì)新型行動(dòng)應(yīng)用模式的需求”。
英飛凌科技(InfineonTech-nologies)新推出款700MHz頻段無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施專用射頻功率晶體系列,這個(gè)頻段將在美國(guó)用來(lái)導(dǎo)入4G行動(dòng)電話、行動(dòng)電視廣播與其他行動(dòng)寬頻服務(wù),包括下一代的無(wú)線網(wǎng)路標(biāo)準(zhǔn)──LTE(長(zhǎng)期演進(jìn)技術(shù))。
新元件包含:具備標(biāo)準(zhǔn)雙音PEP(峰值包絡(luò)功率)效能、供電電壓28V的PTFA070551E/PTFA070551F55WFET,增益18.5dB、效率值48%。而PTFA071701GH/PTFA071701HL170WFET則擁有18dB增益與40%的效率。
此外,供電電壓30V、具標(biāo)準(zhǔn)雙音PEP效能的PTFA072401E/PTFA072401F240WLDMOS,具有18dB增益與40%的效率。所有產(chǎn)品都不含鉛,相容于RoHs標(biāo)準(zhǔn),耐熱增強(qiáng)型,開(kāi)槽或無(wú)耳凸緣開(kāi)放腔封裝,具有在CW(連續(xù)波)輸出功率下處理10:1VSWR(電壓駐波比)的能力。
這些元件採(cǎi)用英飛凌的LDMOS(橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體)製程技術(shù),提供內(nèi)部輸入與輸出寬頻匹配與高線性度,簡(jiǎn)化放大線路的設(shè)計(jì),非常適合用于道赫迪(Doherty)放大器,這種放大器結(jié)合了載波放大器與峰值放大器,可有效提升放大器的功率。在行動(dòng)電話與無(wú)線網(wǎng)路系統(tǒng)設(shè)計(jì)上,道赫迪放大器愈來(lái)愈受到重用。
“有愈來(lái)愈多的消費(fèi)者要求在使用無(wú)線網(wǎng)路時(shí),要擁有與固網(wǎng)連線一樣的體驗(yàn)與功能,”英飛凌科技射頻功率部門(mén)副總裁兼總經(jīng)理HelmutVogler表示,“700MHz通訊網(wǎng)路可將網(wǎng)際網(wǎng)路應(yīng)用功能悉數(shù)從固網(wǎng)移植到無(wú)線網(wǎng)路,包括網(wǎng)路電話、視訊串流、音樂(lè)下載和行動(dòng)電視。新型700MHz射頻功率晶體能協(xié)助建構(gòu)基礎(chǔ)設(shè)施,以支援新一代消費(fèi)性電子裝置對(duì)新型行動(dòng)應(yīng)用模式的需求”。