臺積電將推40納米芯片 耗電量減少15%
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編者按:臺積之所以會成為全球最大的專業(yè)晶園制造服務公司(即一般所謂晶圓代工公司),絕非偶然。我們的成功是經過詳盡的規(guī)劃,再加上公司的特質使然。作為第一家“純”晶園代工公司,我們因為不與客戶競爭、不設計或生產自有品牌產品,成為客戶真正的伙伴,因而能與成功的客戶共同享有高度的成長。臺積電將推40納米芯片 耗電量減少15%。
臺積電本周一披露了其第一個40納米生產工藝技術,并且表示將在未來三個月內用這種技術生產出第一批晶圓。
40納米技術是芯片廠商對以前的45納米工藝技術進行微調的結果。這個工藝把浸沒式光刻技術和極低功率的材料結合在了一起。臺積電稱,這種工藝將生產出目前市場上尺寸最小的SRAM芯片單元,芯片尺寸可縮小到0.242平方微米。臺積電稱,通過從45納米向40納米的過渡,電源消耗將減少15%。此外,新的40納米節(jié)點顯然能夠讓LP芯片和G芯片提供比65納米工藝高2.35倍的芯片閘密度。
臺積電表示,新的低功率40LP芯片將用于敏感型應用,如便攜式設備和無線設備。40G芯片將用于處理器、圖形處理器、游戲機、網(wǎng)絡和FPGA設計以及大量的其它消費電子產品中。
40G芯片和LP芯片將在臺積電的12英寸晶圓工廠生產。
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