臺積電將推40納米芯片 耗電量減少15%
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編者按:臺積之所以會成為全球最大的專業(yè)晶園制造服務(wù)公司(即一般所謂晶圓代工公司),絕非偶然。我們的成功是經(jīng)過詳盡的規(guī)劃,再加上公司的特質(zhì)使然。作為第一家“純”晶園代工公司,我們因為不與客戶競爭、不設(shè)計或生產(chǎn)自有品牌產(chǎn)品,成為客戶真正的伙伴,因而能與成功的客戶共同享有高度的成長。臺積電將推40納米芯片 耗電量減少15%。
臺積電本周一披露了其第一個40納米生產(chǎn)工藝技術(shù),并且表示將在未來三個月內(nèi)用這種技術(shù)生產(chǎn)出第一批晶圓。
40納米技術(shù)是芯片廠商對以前的45納米工藝技術(shù)進(jìn)行微調(diào)的結(jié)果。這個工藝把浸沒式光刻技術(shù)和極低功率的材料結(jié)合在了一起。臺積電稱,這種工藝將生產(chǎn)出目前市場上尺寸最小的SRAM芯片單元,芯片尺寸可縮小到0.242平方微米。臺積電稱,通過從45納米向40納米的過渡,電源消耗將減少15%。此外,新的40納米節(jié)點顯然能夠讓LP芯片和G芯片提供比65納米工藝高2.35倍的芯片閘密度。
臺積電表示,新的低功率40LP芯片將用于敏感型應(yīng)用,如便攜式設(shè)備和無線設(shè)備。40G芯片將用于處理器、圖形處理器、游戲機、網(wǎng)絡(luò)和FPGA設(shè)計以及大量的其它消費電子產(chǎn)品中。
40G芯片和LP芯片將在臺積電的12英寸晶圓工廠生產(chǎn)。

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