產(chǎn)品頻道

相對(duì)于標(biāo)準(zhǔn)模塊30mm的高度，SEMiXTM4的高度才17mm，其長(zhǎng)度為183mm，寬度為69mm，SEMiXTM4在如此小的體積內(nèi)實(shí)現(xiàn)了最大直流電流900A，是目前功率器件市場(chǎng)上最緊湊的半橋模塊。 SEMiXTM4 IGBT模塊，是SEMiXTM3的“大哥”，能夠應(yīng)于功率超過90kW的電機(jī)中。它有半橋和制動(dòng)斬波兩種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。作為“小弟”的SEMiXTM2 IGBT模塊，是最小的半橋模塊，其長(zhǎng)寬高尺寸僅為117mm x 62mm x 17mm，最大直流電流可達(dá)470A。 SEMiXTM IGBT系列采用溝道技術(shù)，具有600V、1200V 和 1700V三種電壓等級(jí)，特別適合于開關(guān)頻率小于6 kHz的應(yīng)用場(chǎng)合。采用軟穿通技術(shù)的1200V模塊，其開關(guān)頻率可以超過6 kHz。 對(duì)于不同的功率等級(jí)，SEMiXTM設(shè)計(jì)平臺(tái)提供三種模塊尺寸。下表列明了三種SEMiXTM 模塊尺寸對(duì)應(yīng)的電流和電機(jī)功率范圍。更高功率等級(jí)的逆變器可以采用幾個(gè)半橋并聯(lián)的方式來(lái)實(shí)現(xiàn)。