產(chǎn)品頻道

簡(jiǎn)介：富士通微電子（上海）有限公司宣布，富士通實(shí)驗(yàn)室和富士通株式會(huì)社聯(lián)合開(kāi)發(fā)出一款具有高擊穿電壓并基于邏輯制程的CMOS高壓晶體管，該晶體管適用于無(wú)線設(shè)備的功率放大器

簡(jiǎn)介：合金超低阻貼片電阻 阻值范圍：0.5mR-22mR

簡(jiǎn)介：高精密薄膜貼片電阻 阻值范圍：4.7R-1MR

簡(jiǎn)介：意法半導(dǎo)體推出音頻放大器與模擬開(kāi)關(guān)二合一芯片TS4961T，通過(guò)在單一封裝內(nèi)整合一個(gè)隔離度–80dB的模擬開(kāi)關(guān)和一個(gè)1.6W的D類功率放大器

簡(jiǎn)介：Vishay Siliconix 推出的新型TrenchFET® 功率 MOSFET實(shí)現(xiàn)業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻。新型器件采用 SO-8 封裝，具有 3.3 mΩ（在 10 V 時(shí)）及 5.5 mΩ（在 4.5 V 時(shí)）的優(yōu)異性能

簡(jiǎn)介：二單元IGBT驅(qū)動(dòng)板，每路輸出20A電流，可驅(qū)動(dòng)2000A/1700V以下的IGBT。

簡(jiǎn)介：Vishay 推出性能遠(yuǎn)高于業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的新型表面貼裝紅外發(fā)射器系列器件，該產(chǎn)品以鷗翼式、倒立鷗翼式、PLCC2 及 0805 封裝，且具高輻射強(qiáng)度。

簡(jiǎn)介：Vishay 推出業(yè)界首款采用超薄 CLCC-2 扁平陶瓷封裝且基于藍(lán)寶石 InGaN/TAG 技術(shù)的白光功率 SMD LED系列

簡(jiǎn)介：Vishay 的新型IHLP® 薄型、高電流電感器可為用戶提供小型高性能、低功耗解決方案，該器件采用 2020 封裝尺寸且最大頻率高達(dá)1MHz。

簡(jiǎn)介：一次消諧器主要適用于6KV-35KV中性點(diǎn)非有效接地系統(tǒng)中。

簡(jiǎn)介：JPT是一種新型的組合式過(guò)電壓保護(hù)裝置。它廣泛適用于電力、冶金、化工、煤炭、輕工、建筑等行業(yè).

簡(jiǎn)介：JZXH消弧消諧選線及過(guò)電壓保護(hù)裝置廣泛用于6KV～35KV電壓等級(jí)的配電網(wǎng)中性點(diǎn)非有效接地系統(tǒng).

簡(jiǎn)介：JFUR適用于3～35KV電力系統(tǒng)中具有較大短路容量的線路和廠用變壓器，勵(lì)磁變壓器的回路。

簡(jiǎn)介：Vishay Siliconix 推出的新型高端負(fù)載開(kāi)關(guān)器件為客戶提供了更多選擇

簡(jiǎn)介：Maxim推出帶有同步整流的雙通道、Quick-PWM?降壓控制器MAX17101，用于生成電池供電系統(tǒng)的5V/3.3V電源

簡(jiǎn)介：105℃ 變頻器用5000小時(shí)長(zhǎng)壽命產(chǎn)品

簡(jiǎn)介：該器件采用 14 種封裝尺寸，可實(shí)現(xiàn) +105°C 的高溫運(yùn)行，面向工業(yè)、電信、數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)及消費(fèi)類電子應(yīng)用。

簡(jiǎn)介：105℃小體積、長(zhǎng)壽命3000小時(shí)產(chǎn)品

簡(jiǎn)介：Vishay Siliconix 推出了首款采用 TurboFET™ 技術(shù)的第三代功率 MOSFET，其切換損耗更低、切換速度更快

簡(jiǎn)介：CD289X系列產(chǎn)品通過(guò)CQC認(rèn)證; 所有系列產(chǎn)品均符合歐盟RoHS指令要求；CD289X系列產(chǎn)品通過(guò)CE認(rèn)證