600伏特級/具有N側(cè)警告功能的全硅IPMR-IPM3系列(智能功率模塊)資料
600伏特級/具有N側(cè)警告功能的全硅IPMR-IPM3系列(智能功率模塊)參數(shù)[查看詳情]
600,1200伏特級/具有P和N側(cè)警告功能的全硅IPMR-IPM3系列(智能功率模塊)資料
600,1200伏特級/具有P和N側(cè)警告功能的全硅IPMR-IPM3系列(智能功率模塊)參數(shù)[查看詳情]
模制FRD用于IGBT的快速恢復(fù)二極管 參數(shù)[查看詳情]
1200伏特級模制封裝型單管封裝型IGBT參數(shù)[查看詳情]
600伏特級模制封裝型單管封裝型IGBT參數(shù)[查看詳情]
FUJI MOSFET 功率場效應(yīng)管 2SK3337 資料
FUJI MOSFET 功率場效應(yīng)管 2SK3337 參數(shù) [查看詳情]
FUJI MOSFET 功率場效應(yīng)管 2SK1986資料
FUJI MOSFET 功率場效應(yīng)管 2SK1986參數(shù) [查看詳情]
FUJI MOSFET 功率場效應(yīng)管 2SK3341資料
FUJI MOSFET 功率場效應(yīng)管 2SK3341參數(shù)[查看詳情]
FUJI MOSFET 功率場效應(yīng)管 2SK962資料
FUJI MOSFET 功率場效應(yīng)管 2SK962參數(shù)[查看詳情]
FUJI MOSFET 功率場效應(yīng)管 2SK2850 資料
FUJI MOSFET 功率場效應(yīng)管 2SK2850參數(shù)[查看詳情]