2012年2月27日–應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ONSemiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ONNN)的NCV8871汽車級(jí)非同步升壓控制器榮獲《電子工程專輯》2012中國(guó)年度電子成就獎(jiǎng)之“電源管理最佳產(chǎn)品獎(jiǎng)”。

　　此中國(guó)年度電子成就獎(jiǎng)表彰在中國(guó)大陸推動(dòng)創(chuàng)新電子設(shè)計(jì)且在當(dāng)今電子產(chǎn)業(yè)有頂尖表現(xiàn)的公司及產(chǎn)品。

　　安森美半導(dǎo)體電源及便攜產(chǎn)品全球銷售及營(yíng)銷高級(jí)總監(jiān)鄭兆雄先生說(shuō)：“我們的產(chǎn)品獲得業(yè)界權(quán)威獎(jiǎng)項(xiàng)的表彰，我們備感榮幸；這獎(jiǎng)項(xiàng)也有力地認(rèn)可了我們的產(chǎn)品開(kāi)發(fā)，證明了我們?cè)谄噾?yīng)用電源管理領(lǐng)域持續(xù)處于領(lǐng)先地位。我們將繼續(xù)致力于開(kāi)發(fā)創(chuàng)新及高性能的技術(shù)和產(chǎn)品，提供高能效的汽車方案，簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)流程并縮短設(shè)計(jì)時(shí)間?！?/p>

　　NCV8871是一款輸入電壓范圍為3.2伏(V)至44V的寬輸入電壓器件，能用于驅(qū)動(dòng)外部N溝道MOSFET。此器件包含的內(nèi)部穩(wěn)壓器為門驅(qū)動(dòng)器提供電荷，它在休眠模式下的靜態(tài)電流為3.0微安(µA)，使功耗降至最低。它還具有可同步開(kāi)關(guān)頻率特性，提供兩種分別可設(shè)定為典型值170kHz或是典型值1MHz的版本。峰值電流模式控制及內(nèi)部斜坡補(bǔ)償確保這器件在寬汽車電池電壓范圍內(nèi)穩(wěn)定工作，并在電流限制值被超過(guò)的情況下，通過(guò)在開(kāi)關(guān)周期的剩余部分關(guān)閉電源開(kāi)關(guān)，確保這器件在電流故障條件下受到保護(hù)。這器件還藉熱關(guān)閉機(jī)制(溫度閾值為170⁰C)及3.1V欠壓鎖定來(lái)提供更多保護(hù)。

　　NCV8871可靈活編程，能根據(jù)要求提供其它不同頻率以供選擇。更多其它選擇包括不同的斜坡補(bǔ)償值、限流設(shè)定點(diǎn)，以及配接多種MOSFET的不同門驅(qū)動(dòng)電壓。這器件還支持多種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)配置，包括升壓、反激、單端初級(jí)電感轉(zhuǎn)換器(SEPIC)及多相。升壓拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)下的輸出功率范圍為數(shù)瓦(W)到最高200W。

　　NCV8871的工作結(jié)點(diǎn)溫度范圍為−40⁰C至150⁰C。這器件采用無(wú)鉛、符合RoHS指令的SOIC-9封裝。

　　關(guān)于安森美半導(dǎo)體

　　安森美半導(dǎo)體(ONSemiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ONNN)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號(hào)管理、邏輯、分立及定制器件，幫助客戶解決他們?cè)谄嚒⑼ㄐ?、?jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨(dú)特設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)，既快速又符合高性價(jià)比。公司在北美、歐洲和亞太地區(qū)之關(guān)鍵市場(chǎng)運(yùn)營(yíng)包括制造廠、銷售辦事處及設(shè)計(jì)中心在內(nèi)的世界一流、增值型供應(yīng)鏈和網(wǎng)絡(luò)。更多信息請(qǐng)?jiān)L問(wèn)http://www.onsemi.cn。