4大NAND Flash廠50奈米制程全都原地踏步, 制程瓶頸歷時(shí)1季未獲改善 供不應(yīng)求恐比預(yù)期更嚴(yán)重 全球4大NAND型快閃存儲(chǔ)器（Flash）制造廠三星電子（Samsung Electronics）、東芝（Toshiba）、海力士（Hynix）及IM Flash等，盡管已想盡辦法全力解決50奈米世代制程轉(zhuǎn)換不順、新制程良率偏低問題，但經(jīng)過逾1季至今仍是原地踏步，良率可說是絲毫未有提升，加上全球NAND Flash市場(chǎng)已進(jìn)入需求旺季，下游客戶端已提出警訊，未來6個(gè)月4大廠產(chǎn)能加總，扣除給予蘋果（Apple）需求后，幾乎可確定NAND Flash市場(chǎng)將出現(xiàn)比預(yù)期更嚴(yán)重的供不應(yīng)求。 近3個(gè)月來，包括三星、東芝、海力士及IM Flash等NAND Flash制造廠，均卯足勁設(shè)法提升50奈米世代先進(jìn)程制良率，而存儲(chǔ)器業(yè)者如此積極搶進(jìn)新制程技術(shù)，最主要原因系看準(zhǔn)一波波市場(chǎng)需求成長，為進(jìn)一步藉由新制程技術(shù)提高產(chǎn)能，并增進(jìn)NAND Flash產(chǎn)品線獲利。不過，4大NAND Flash廠卻遭遇到50奈米世代制程轉(zhuǎn)換瓶頸，尤其至今已經(jīng)過逾1季的全力改善，卻仍無法將良率有效提升，可說是陷入原地踏步的窘境。 值得注意的是，全球NAND Flash總產(chǎn)出量無法快速拉升，如今又將進(jìn)入市場(chǎng)需求旺季，尤其蘋果iPhone及iPod對(duì)于NAND Flash需求與日俱增，以及年底圣誕節(jié)采購?fù)靖鴣淼剑騈AND Flash需求在未來幾個(gè)月內(nèi)只增不減，供貨缺口恐將愈益擴(kuò)大。 存儲(chǔ)器業(yè)者便大膽預(yù)期，未來幾個(gè)月全球NAND Flash市場(chǎng)將因4大NAND Flash廠產(chǎn)能無法有效開出，在市場(chǎng)需求卻是源源不絕開出情況下，勢(shì)必將出現(xiàn)比預(yù)期還要嚴(yán)重的供不應(yīng)求，而這亦促使多家市調(diào)機(jī)構(gòu)近期紛預(yù)測(cè)，未來NAND Flash合約價(jià)將持續(xù)走揚(yáng)，現(xiàn)貨市場(chǎng)亦將因供應(yīng)量明顯萎縮，出現(xiàn)易漲難跌情況。 事實(shí)上，過去NAND Flash大廠在新世代制程技術(shù)轉(zhuǎn)換時(shí)，都會(huì)發(fā)生整體產(chǎn)能明顯下降狀況，不過，依照過去業(yè)者轉(zhuǎn)換制程經(jīng)驗(yàn)來看，要將新世代制程良率調(diào)到正常水平所需花費(fèi)時(shí)間，頂多是1個(gè)多月左右，如今這4大NAND Flash制造廠卻已花上逾1季時(shí)間，但生產(chǎn)線良率依然處于原地踏步階段，難怪所有下游NAND Flash卡制造商均感到憂心忡忡，擔(dān)心未來價(jià)格恐將逐步墊高。 此外，存儲(chǔ)器業(yè)者亦透露，除因新制程技術(shù)轉(zhuǎn)換不順、導(dǎo)致良率無法提高，進(jìn)而影響到整體產(chǎn)出外，另一方面，由于新產(chǎn)出的NAND Flash顆粒屬于新世代制程技術(shù)產(chǎn)品，下游NAND Flash控制IC廠至今亦仍無法有效供應(yīng)新制程技術(shù)顆粒所需要的控制IC，這更進(jìn)一步限制下游記憶卡廠商未來出貨量能，并恐將形成另一個(gè)市場(chǎng)成長瓶頸。