英特爾采用3D晶體管技術開發(fā)全新凌動芯片架構
英特爾正在開發(fā)一款采用3D晶體管技術的凌動芯片架構。英特爾在加速節(jié)能芯片的開發(fā)進程,以進入智能手機和平板電腦芯片市場。
消息人士透露,代號為Silvermont的新款凌動芯片將于2013年發(fā)售。采用3D晶體管技術的Silvermont在整合度、性能和效能比方面將達到一個全新的水平。
與未來所有的凌動芯片一樣,Silvermont也采用片上系統(tǒng)設計。凌動芯片的發(fā)展速度快于摩爾定律。目前的凌動芯片采用45納米工藝,今年晚些時候將升級到32納米。
上述消息人士稱,盡管細節(jié)還不清楚,Silvermont旨在利用22納米工藝和3D晶體管技術。預計英特爾將在本周的分析師會議上披露更多的凌動片上系統(tǒng)開發(fā)計劃。
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