飛兆半導體和英飛凌科技達成功率MOSFET兼容協(xié)議

時間:2010-04-26

來源:英飛凌科技中國有限公司

導語:飛兆半導體公司和英飛凌科技就采用MLP3x3(Power33™)和PowerStage3x3封裝的功率MOSFET達成封裝合作伙伴協(xié)議

  飛兆半導體公司(FairchildSemiconductor)和英飛凌科技(InfineonTechnologies)宣布,兩家公司就采用MLP3x3(Power33™)和PowerStage3x3封裝的功率MOSFET達成封裝合作伙伴協(xié)議。

  兼容協(xié)議旨在保證供貨穩(wěn)定性,同時滿足對同級最佳的DC-DC轉換效率和熱性能的需求。這項協(xié)議利用了兩家企業(yè)的專業(yè)技術,為3A至20A的DC-DC應用提供非對稱、單一n溝道MOSFET。

  飛兆半導體低壓產(chǎn)品高級副總裁JohnBendel稱:“飛兆半導體和英飛凌實現(xiàn)了引腳輸出的標準化,并在性能水平方面相輔相成,為客戶提供兩個供貨來源以滿足計算、電信和服務器市場對高效率設計的需求。這一攬子協(xié)議(packagealignment)的目的是通過多個來源和行業(yè)標準封裝,為客戶提供性能領先的產(chǎn)品?!?/p>

  英飛凌科技低壓MOSFET產(chǎn)品總監(jiān)兼產(chǎn)品線經(jīng)理RichardKuncic表示:“我們不單通過減少市場上的‘獨有’封裝種類,能夠使客戶從功率產(chǎn)品封裝的標準化中獲益,還能夠以相較上一代產(chǎn)品更小的占位面積,帶來提升效能水平的解決方案?!?/p>

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