瑞薩科技發(fā)布硅鍺功率晶體管應用于無線LAN終端等功率放大器

時間:2007-01-25

來源:瑞薩電子(上海)有限公司

導語:Renesas宣布RQG2003高性能的功率硅鍺HBT*1實現(xiàn)了業(yè)界最高水平性能。

Renesas宣布RQG2003高性能的功率硅鍺HBT*1實現(xiàn)了業(yè)界最高水平性能,可用于諸如無線LAN終端、數(shù)字無繩電話和RF(射頻)標簽讀/寫機等產(chǎn)品。樣品供貨將于從2007年3月在日本開始。   作為瑞薩科技目前HSG2002的后續(xù)產(chǎn)品,RQG2003是一種用于功率放大器的晶體管,它可以對傳輸無線LAN終端設備等RF前端功率進行放大。   RQG2003的功能總結如下。   (1)業(yè)界最高的性能水平,有助于實現(xiàn)低功耗產(chǎn)品   在5GHz和2.4GHz頻段,RQG2003的性能達到了業(yè)界的最高水平,如下所述。  ?。╝)5GHz頻段:6.4dB的功率增益,26.5dBm條件下的1dB增益壓縮功率,5.8GHz條件下的功率增加效率*2為33.6%  ?。╞)2.4GHz頻段:13.0dB的功率增益,26.5dBm條件下1dB的增益壓縮功率,2.4GHz條件下的功率增加效率為66.0%   這些性能參數(shù)是對瑞薩科技目前的HSG2002的顯著改善,例如,5.8GHz條件下的功率增加效率大約提高了10%,2.4GHz的功率增加效率大約提高了20%。   該性能有助于降低 IEEE802.11a*3 兼容的無線LAN設備、數(shù)字無繩電話等5GHz頻段設備的功耗,也可以降低使用2.4GHz頻段的IEEE802.11b/g*3 兼容的無線LAN設備、RF標簽讀/寫機及其他2.4GHz頻段應用的功耗。   2)小而薄的無鉛封裝   該器件采用小型表面貼裝8引腳WQFN0202(瑞薩封裝代碼)封裝,尺寸為2.0mm×2.0mm×0.8毫米。這種小而薄的無鉛封裝有助于縮小RF前端傳輸部分的設計空間。
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