據(jù)報道，三星電子正與臺積電合作開發(fā)下一代高帶寬存儲器HBM4人工智能(AI)芯片，以加強其在快速增長的AI芯片市場的地位。
在Semicon Taiwan 2024論壇上，臺積電生態(tài)系統(tǒng)和聯(lián)盟管理負責人Dan Kochpatcharin表示，兩家公司正在開發(fā)無緩沖的HBM4芯片。
HBM對AI熱潮至關重要，它比傳統(tǒng)內存芯片提供了更快的處理速度。
HBM4是第六代HBM芯片，三星、SK海力士和美光科技等主要存儲制造商計劃最早明年為包括英偉達在內的AI芯片廠商大規(guī)模生產。
分析人士表示，如果三星和臺積電合作開發(fā)無緩沖HBM4芯片，這將是雙方在AI芯片領域的首次合作。在代工或合同芯片制造領域，三星是第二大廠商，與規(guī)模更大的競爭對手臺積電激烈競爭。
行業(yè)官員表示，無緩沖HBM4的能效比現(xiàn)有型號高40%，延遲比現(xiàn)有型號低10%。
Dan Kochpatcharin表示，隨著內存制造過程變得越來越復雜，合作“變得比以往任何時候都更加重要”。
三星將于2025年量產HBM4。消息人士稱，三星與臺積電的合作將從尖端的第六代HBM4芯片開始，這家韓國公司計劃于明年下半年開始量產該芯片。雖然三星能夠提供全面的HBM4服務，包括內存生產、代工和先進封裝，但它希望利用臺積電的技術來獲得更多客戶。
市場研究公司TrendForce的數(shù)據(jù)顯示，三星占有HBM市場35%的份額。為鞏固HBM領導地位，未從事代工業(yè)務的SK海力士于今年4月宣布與臺積電合作生產HBM4芯片，計劃在2026年量產。
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