我國(guó)芯片領(lǐng)域獲重大突破:與存算一體芯片有關(guān)

時(shí)間:2023-10-12

來(lái)源:21ic電子網(wǎng)

導(dǎo)語(yǔ):10月10日消息,據(jù)清華大學(xué)公眾號(hào),近日,清華大學(xué)集成電路學(xué)院教授吳華強(qiáng)、副教授高濱基于存算一體計(jì)算范式,研制出全球首顆全系統(tǒng)集成的、支持高效片上學(xué)習(xí)(機(jī)器學(xué)習(xí)能在硬件端直接完成)的憶阻器存算一體芯片。

  這是在支持片上學(xué)習(xí)的憶阻器存算一體芯片領(lǐng)域的重大突破,有望促進(jìn)人工智能、自動(dòng)駕駛可穿戴設(shè)備等領(lǐng)域的發(fā)展,該研究成果日前已在《科學(xué)》上發(fā)表。

  多個(gè)憶阻器陣列芯片協(xié)同工作示意圖

  據(jù)清華大學(xué)介紹,該芯片包含支持完整片上學(xué)習(xí)所必需的全部電路模塊,成功完成圖像分類、語(yǔ)音識(shí)別和控制任務(wù)等多種片上增量學(xué)習(xí)功能驗(yàn)證,展示出高適應(yīng)性、高能效、高通用性、高準(zhǔn)確率等特點(diǎn),有效強(qiáng)化智能設(shè)備在實(shí)際應(yīng)用場(chǎng)景下的學(xué)習(xí)適應(yīng)能力。

  存算一體系統(tǒng)架構(gòu)

  相同任務(wù)下,芯片實(shí)現(xiàn)片上學(xué)習(xí)的能耗僅為先進(jìn)工藝下專用集成電路(ASIC)系統(tǒng)的1/35,同時(shí)有望實(shí)現(xiàn)75倍的能效提升。

  據(jù)了解,記憶電阻器是繼電阻、電容、電感之后的第四種電路基本元件,可以在斷電之后,仍能“記憶”通過(guò)的電荷,被當(dāng)做新型納米電子突觸器件。

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